"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1, Ильинская Н.Д.1, Серебренникова О.Ю.1, Коньков О.И.1, Потапов А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Экспериментально определено сопротивление шоттки-контактов на основе 4H-SiC при высоких плотностях прямого тока. Измеренное сопротивление существенно больше сопротивления, которое предсказывается классическими механизмами транспорта электронов через шоттки-контакт. Выдвигается и частично обосновывается предположение о решающем вкладе туннельно-прозрачного промежуточного окисного слоя между металлом и полупроводником в сопротивление барьерного контакта.
  1. D. Stephani, R. Schorner, D. Peters, P. Friedrichs. Sci. Forum, 527--529, 1147 (2006)
  2. A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Electron. Dev. Lett., 16, 280 (1995)
  3. S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling. J. Appl. Phys., 87, 8039 (2000)
  4. П.А. Иванов, И.В. Грехов, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Т.В. Семенов. ФТП, 45, 1427 (2011)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  6. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  7. J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 34, 1793 (1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.