Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Тензочувствительность p-n-перехода при освещении
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 29 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
Рассмотрено влияние света на тензочувствительность p-n-перехода. Показано, что тензочувствительностью освещенного p-n-перехода можно управлять постоянной деформацией varepsilon0, частотой света omega и ее интенсивностью I0. Установлено, что вблизи критических точек под действием деформации коэффициент поглощения может сильно измениться и вследствие этого коэффициент тензочувствительности p-n-перехода может принимать аномально большие значения.
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1978)
- С.М. Отажонов. Матер. конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках-2004" (Ташкент, 20-21 апреля 2004) с. 39
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
