"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Тензочувствительность p-n-перехода при освещении
Гулямов Г.1, Гулямов А.Г.1,2
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 29 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Рассмотрено влияние света на тензочувствительность p-n-перехода. Показано, что тензочувствительностью освещенного p-n-перехода можно управлять постоянной деформацией varepsilon0, частотой света omega и ее интенсивностью I0. Установлено, что вблизи критических точек под действием деформации коэффициент поглощения может сильно измениться и вследствие этого коэффициент тензочувствительности p-n-перехода может принимать аномально большие значения.
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  3. А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1978)
  4. С.М. Отажонов. Матер. конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках-2004" (Ташкент, 20-21 апреля 2004) с. 39

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.