Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb
Бойко В.М.1, Брудный В.Н.2, Ермаков В.С.1, Колин Н.Г.1, Корулин А.В.1
1Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
Исследованы электронные свойства и предельное положение уровня Ферми в кристаллах p-GaSb, облученных полным спектром реакторных нейтронов до флюенсов 8.6·1018 см-2. Показано, что облучение GaSb реакторными нейтронами приводит к росту плотности свободных дырок до значений plim=(5-6)·1018 см-3 и закреплению уровня Ферми в предельном положении Flim вблизи EV+0.02 эВ при 300 K. В интервале температур 100-550oC исследован отжиг радиационных дефектов.
- V.N. Brudnyi, I.V. Kamenskaya. Phys. Status Solidi A, 105 (2), K141 (1988)
- И.В. Каменская. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 2007)
- В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. (Томск, ТГУ, 1993)
- C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Appl. Phys. Lett., 70, 2577 (1997)
- W. Monch. J. Appl. Phys., 80, 5076 (1996)
- J. Robertson, Falabretti. J. Appl. Phys., 100, 014 111 (2006)
- J. Tersoff. J. Vac. Sci. Technol. B, 4 (4), 1066 (1986)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica, B, 212, 429 (1995)
- S.H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev. Semiconductors, 32 (3), 315 (1998)
- N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, S.P. Solov'ev. Physica B, 307, 258 (2001)
- Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
- W. Walukiewicz. Physica B, 302--303, 123 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.