"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb
Бойко В.М.1, Брудный В.Н.2, Ермаков В.С.1, Колин Н.Г.1, Корулин А.В.1
1Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Исследованы электронные свойства и предельное положение уровня Ферми в кристаллах p-GaSb, облученных полным спектром реакторных нейтронов до флюенсов 8.6·1018 см-2. Показано, что облучение GaSb реакторными нейтронами приводит к росту плотности свободных дырок до значений plim=(5-6)·1018 см-3 и закреплению уровня Ферми в предельном положении Flim вблизи EV+0.02 эВ при 300 K. В интервале температур 100-550oC исследован отжиг радиационных дефектов.
  1. V.N. Brudnyi, I.V. Kamenskaya. Phys. Status Solidi A, 105 (2), K141 (1988)
  2. И.В. Каменская. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 2007)
  3. В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. (Томск, ТГУ, 1993)
  4. C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Appl. Phys. Lett., 70, 2577 (1997)
  5. W. Monch. J. Appl. Phys., 80, 5076 (1996)
  6. J. Robertson, Falabretti. J. Appl. Phys., 100, 014 111 (2006)
  7. J. Tersoff. J. Vac. Sci. Technol. B, 4 (4), 1066 (1986)
  8. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica, B, 212, 429 (1995)
  9. S.H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
  10. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev. Semiconductors, 32 (3), 315 (1998)
  11. N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, S.P. Solov'ev. Physica B, 307, 258 (2001)
  12. Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
  13. W. Walukiewicz. Physica B, 302--303, 123 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.