Рассмотрены пределы применимости холловского метода раздельного определения концентрации примесей для случая легирования одной основной примесью. Построена диаграмма в координатной плоскости, где ось абсцисс - безразмерный параметр N^1/3a (поскольку используются разные полупроводники), а ось ординат - степень компенсации примесей K. Полученная кривая является как обобщением имеющихся в литературе экспериментальных данных, так и результатом проведенного исследования слабо компенсированного Si. Полученная кривая делит плоскость N^1/3a-K на две части: в I - применим холловский метод определения концентрации примесей, в II - неприменим.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.