"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности холловских измерений в легированных полупроводниках
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А Шолохова (факультет точных наук и инновационных технологий), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Рассмотрены пределы применимости холловского метода раздельного определения концентрации примесей для случая легирования одной основной примесью. Построена диаграмма в координатной плоскости, где ось абсцисс --- безразмерный параметр N1/3a (поскольку используются разные полупроводники), а ось ординат --- степень компенсации примесей K. Полученная кривая является как обобщением имеющихся в литературе экспериментальных данных, так и результатом проведенного исследования слабо компенсированного Si. Полученная кривая делит плоскость N1/3a-K на две части: в I --- применим холловский метод определения концентрации примесей, в II --- неприменим.
  1. Л.Б. Литвак-Горская. Автореф. докт. дис. (M., 1983)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979); ЖЭТФ, 60, 867 (1971)
  3. Г.Я. Луговая. Автореф. канд. дис. (М., 1981)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. Письма ЖЭТФ, 14, 348 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.