"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов
Поликарпов М.А.1, Якимов Е.Б.2,3
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Проведено экспериментальное исследование кремниевых p-i-n-диодов в растровом микроскопе в условиях, имитирующих бета-излучение из радиоактивного источника Ni63 с активностью 10 мКи/см2, оценены достижимые параметры бета-вольтаических элементов с таким источником и преобразователем энергии бета-частиц в электрический ток на основе кремния. Показано, что мощность таких элементов может достигать значений ~10 нВт/см2 даже при сантиметровой площади элемента, что достаточно близко к расчетному значению.
  1. М.А. Поликарпов, Е.Б. Якимов. Поверхность, N 1, 85 (2013)
  2. В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, N 9, 46 (2013)
  3. S.S. Li. Semiconductor Physical Electronics (N.Y., Springer Science+Business Media, LLC, 2006) chap. 12
  4. M.V.S. Chandrashekhar, C.I. Thomas, H. Li, M.G. Spencer, A. Lal. Appl. Phys. Lett., 88, 033 506 (2006)
  5. X.-Y. Li, Y. Ren, X.-J. Chen, D.-Y. Qiao, W.-Z. Yuan. J. Radioanal. Nucl. Chem., 287, 173 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.