"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование процессов образования радиационных дефектов в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами
Скупов А.В.1
1Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Разработана программа TRISQD для компьютерного моделирования процессов образования радиационных дефектов при корпускулярном облучении полупроводниковых гетероструктур с нановключениями линзообразной формы. С ее помощью исследованы процессы дефектообразования в p-i-n-диодах с встроенной в i-область 20-периодной решеткой самоформирующихся наноостровков Ge(Si) при облучении быстрыми нейтронами. Установлено, что доля наноостровков Ge(Si), в которых после попадания каскадов атомных смещений образуются точечные радиационные дефекты, составляет ≤3% от их полного числа в решетке. Более 94% дефектов локализованы в объеме p-, n-, i-областей диода и слоях кремния, разделяющих слои наноостровков Ge(Si).
  1. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47, 37 (2005)
  2. Н.А. Соболев. ФТП, 47, 182 (2013)
  3. А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 346 (2010)
  4. З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Качемцев, Д.В. Лобанов, А.В. Новиков, С.В. Оболенский, Д.В. Шенгуров. ФТП, 45, 230 (2011)
  5. Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, К.Е. Кудрявцев, Д.В. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, В.Г. Шмагин, З.Ф. Красильник, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 43, 332 (2009)
  6. В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов, Э. Вологдин, Ю. Андреев. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1976)
  7. J.P. Biersack, L.G. Huggmark. Nucl. Instr. Meth., 174, 257 (1980). http://www.srim.org
  8. D.I. Tetelbaum, D.V. Guseinov, V.K. Vasiliev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, S.V. Obolensky, A.N. Kachemtsev. Nucl. Inst. Meth. B, 326, 41 (2014)
  9. А.В. Скупов, В.Д. Скупов, С.В. Оболенский. ФХОМ, N 4, 5 (2006)
  10. А.В. Скупов, С.В. Оболенский. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 4, 37 (2007)
  11. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III--V and II-VI Semiconductors (John Wiley and Sons, Ltd, 2009)
  12. В.С. Вавилов. УФН, 167 (4), 407 (1997)
  13. И.М. Соболь. Численные методы Монте-Карло (М., Наука, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.