"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Плотность состояний неупорядоченного эпитаксиального графена
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Исследуются два типа разупорядоченности эпитаксиального графена (ЭГ): 1) случайно расположенные углеродные вакансии, 2) аморфная структура листа графена. Первый случай рассмотрен с помощью приближения когерентного потенциала, для второго случая предложена модель плотности состояний. Учтены два типа подложек: металлическая и полупроводниковая. Анализируются особенности плотности состояний эпитаксиального графена в точке Дирака и на границах сплошного спектра. Показано, что наличие вакансий в эпитаксиальном графене, сформированном на металле, приводит к логарифмическому обнулению его плотности состояний на границах сплошного спектра и в точке Дирака. В случае полупроводникового субстрата при попадании точки Дирака в центр запрещенной зоны линейное стремление плотности состояний эпитаксиального графена к нулю вблизи точки Дирака, имеющее место в бездефектном случае, переходит в логарифмический спад при наличие вакансий. В обоих случаях связь графен--подложка считается слабой (квазисвободный графен). Для изучения аморфного эпитаксиального графена в качестве исходной предлагается простая модель свободного аморфного графена, в рамках которой учитывается отличная от нуля плотность состояний в точке Дирака. Затем включается взаимодействие листа графена с подложкой. Показано, что вблизи точки Дирака квадратичная зависимость плотности состояний свободного аморфного графена переходит для аморфного эпитаксиального графена в линейную зависимость. На протяжении всей работы плотность состояний свободного графена соответствует низкоэнергетической аппроксимации электронного спектра.
  • A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2008)
  • J. Haas, W.A. deHeer, E.H. Conrad. J. Phys: Condens. Matter, 20, 323 202 (2008)
  • Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Shen. J. Appl. Phys., 108, 071 301 (2010)
  • D.R. Cooper, B. D'Anjou, N. Ghattamaneni, B. Harack, M. Hilke, A. Horth, N. Majlis, M. Massicotte, L. Vandsburger, E. Whiteway, V. Yu. arXiv: 1110.6557
  • N.M.R. Peres, F. Guinea, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B, 73, 125 411 (2006)
  • B.-L. Yuang, M.-C. Chang, C.-Y. Mou. Phys. Rev. B, 82, 155 462 (2010)
  • З.З. Алисултанов. ФТТ, 55, 1211 (2013)
  • Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1983)
  • V. Kapko, D.F. Drabold, V.F. Thorpe. arXiv: 0912.0729
  • E. Holmstrom, J. Fransson, O. Eriksson, R. Lizarraga, B. Sanyal, M.I. Katsnelson. arXiv: 1104.5535
  • H. Shiba. Progr. Theor. Phys., 46, 77 (1971)
  • С.Ю. Давыдов. ФТТ, 20, 1998 (1978)
  • С.Ю. Давыдов. ФТП, 47, 95 (2013)
  • P.W. Anderson. Phys. Rev., 124, 41 (1961)
  • С.Ю. Давыдов. ФТП, 45, 618 (2011)
  • F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13, 2553 (1976)
  • С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ 39 (2), 7 (2013)
  • С.Ю. Давыдов. ФТП, 48, 49 (2014)
  • С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 84 (4), 155 (2014)
  • С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ЖТФ, 78 (5), 134 (2008)
  • С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 50, 1206 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.