Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-ITO/p-GaTe

Катеринчук В.Н.¹, Кудринский З.Р.¹, Ковалюк З.Д.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 12 августа 2014 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ITO/p-GaTe, изготовленных путем пульверизации спиртового раствора хлорида индия на нагретые подложки GaTe. Результаты исследований температурных зависимостей вольт-амперных характеристик полученных гетеропереходов позволили определить механизмы токопрохождения через барьер. Построены энергетические зонные диаграммы гетероперехода. Установлено, что гетеропереход n-ITO/p-GaTe обладает фоточувствительностью в диапазоне 0.35-0.73 мкм.

A. Gouskov, J. Camassel, L. Gouskov. Progr. Cryst. Growth Charact., 5 (4), 323 (1982)
M. Julien-Pouzol, S. Jaulmes, M. Guittard, F. Alapini. Acta Crystallogr. B, 35 (12), 2848 (1979)
A.D. Yoffe. Ann. Rev. Mater. Sci., 3 (1), 147 (1973)
A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499 (7459), 419 (2013)
M. Xu, T. Liang, M. Shi, H. Chen. Chem. Rev., 113 (5), 3766 (2013)
G.W. Mudd, S.A. Svatek, T. Ren, A. Patan\`e, O. Makarovsky, L. Eaves, P.H. Beton, Z.D. Kovalyuk, G.V. Lashkarev, Z.R. Kudrynskyi, A.I. Dmitriev. Adv. Mater., 25 (40), 5714 (2013)
D.J. Late, B. Liu, J. Luo, A. Yan, H.S.S.R. Matte, M. Grayson, C.N.R. Rao, V.P. Dravid. Adv. Mater., 24 (26), 3549 (2012)
P. Dey, J. Paul, N. Glikin, Z.D. Kovalyuk, Z.R. Kudrynskyi, A.H. Romero, D. Karaiskaj. Phys Rev. B, 89 (12), 125 128 (2014)
P.A. Hu, Z. Wen, L. Wang, P. Tan, K. Xiao. ACS Nano, 6 (7), 5988 (2012)
В.А. Хандожко, З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк. ФТП, 48 (4), 564 (2014)
M. Yuksek, H. Ertap, A. Elmali, H. Gul Yaglioglu, G.M. Mamedov, M. Karabulut, M.K. Ozturk. Opt. Laser Technol., 44 (7), 2178 (2012)
W. Jaegermann, C. Pettenkofer, B.A. Parkinson. Phys. Rev. B, 42 (12), 7487 (1990)
A.P. Bakhtinov, V.M. Vodopyanov, Z.R. Kudrynskyi, M.Z. Kovalyuk, V.V. Netyaga, V.L. Karbivskyy, V.V. Vishniak, O.S. Lytvyn. Phys. Status Solidi A, 211 (2), 342 (2014)
А.П. Бахтинов, В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин, А.Д. Шевченко. ФТТ, 55 (6), 1063 (2013)
В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский. ФТП, 47 (3), 320 (2013)
Z.R. Kudrynskyi, Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, V.V. Khomyak, I.G. Orletsky, V.V. Netyaga. Acta Phys. Polon. A, 124 (4), 720 (2013)
А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, В.В. Нетяга, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин. ФТП, 46 (3), 356 (2012)
А.П. Бахтинов, З.Р. Кудринский, О.С. Литвин. ФТТ, 53 (10), 2045 (2011)
В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк. ЖТФ, 84 (3), 99 (2014)
A.P. Bakhtinov, V.N. Vodopyanov, Z.R. Kudrynskyi, V.V. Netyaga. Sensor Lett., 11 (8), 1549 (2013)
В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк. Неорг. матер., 50 (4), 367 (2014)
З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк. ЖТФ, 84 (8), 102 (2014)
В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк. ФТП, 48 (6), 797 (2014)
Y. Cui, D.D. Caudel, P. Bhattacharya, A. Burger, K.C. Mandal, D. Johnstone, S.A. Payne. J. Appl. Phys., 105 (5), 053 709 (2009)
K.C. Mandal, S. Das, R. Krishna, P.G. Muzykov, S. Ma, F. Zhao. MRS Proc. (San Francisco, California, USA, 2010) v. 1268, p. 1268-EE02-10
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
А.А. Балицкий. ТКЭА (Одесса), N 2, 59 (2005)
C. Coskun, S. Aydogan, H. Efeoglu. Semicond. Sci. Technol., 19 (2), 242 (2004)
A. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979)
В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, 18 (12), 2121 (1984)
K. Matsuzaki, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono. Thin Sol. Films, 496 (1), 37 (2006)
A. Zubiaga, J.A. Garcia, F. Plazaola, V. Munoz-Sanjose, M.C. Martinez-Tomas. J. Appl. Phys., 92 (12), 7330 (2002)
A. Zubiaga, J.A. Garcia, F. Plazaola, V. Munoz-Sanjose, M.C. Martinez-Tomas. Phys. Rev. B, 68 (24), 245 202 (2003)
J. Camassel, P. Merle, H. Mathieu. Physica B + C, 99 (1--4), 309 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель