Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu₂ZnSnS₄

Боднарь И.В.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 30 сентября 2014 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

PDF версия

На монокристаллах Cu₂ZnSnS₄, выращенных методом химических газотранспортных реакций, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур T=20-300 K. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанного соединения и построена ее температурная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры увеличивается. Проведен расчет указанной температурной зависимости. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.

T.K. Todorov, J. Tang, S. Bag, O. Gunawan, T. Gokmen, Yu. Zhu, D.B. Mitzi. Adv. Energ. Mater., 4, 1 (2012)
G. Brammertz, M. Buffiere, S. Oueslati, H. ElAnzeery, K. Messaoud. Ben, S. Sahayaraj, C. Koble, M. Meuris, J. Poortmans. Appl. Phys. Lett., 103, 163 904 (2013)
I.Repins, C. Beall, N. Vora, C.De. Hart, D. Kuciauskas, P. Dippo, B. To, J. Mann, W.C. Hsu, A. Goodrich, R. Noufi. Sol. Energy Mater. Sol. Cells., 101, 154 (2012)
S. Ozaki, T. Namba. Phys. Status Solidi C, 9, 2403 (2012)
J. He, L. Sun, Sh. Chen, Ye. Chen, P. Yang, J. Chu. J. Alloys Comp., 511, 129 (2012)
F. Gao, S. Yamazoe, T. Maeda, K. Nakanishi, T. Wada. Jpn. J. Appl. Phys., 51, 28 (2012)
P.M.P. Salome, J. Malaquias, P.A. Fernandes, M.S. Ferreira, A.F. da Cunha, J.P. Leitao, J.C. Gonzalez, F.M. Matinaga. Sol. Energy Mater. Sol. Cells., 101, 147 (2012)
H. Matsushita, T. Ichikawa, A. Katsui. J. Mater. Sci., 40, 2003 (2005)
L. Guen, W.S. Glaunsinger. J. Sol. St. Chem., 35, 35 (1980)
R. Nitsche, D.F. Sargent, P. Wild. J. Cryst. Growth, 1, 52 (1967)
D. Colombara, S. Delsante, G.B orzone, J.M. Mitchels, K.C. Molloy, L.H. Thomas, B.G. Mendis, C.Y. Cummings, F. Marken, L.M. Peter. J. Cryst. Growth, 364, 101 (2013)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец. ФТП, 45, 1450 (2011)
И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, А.В. Данильчик, Е.В. Луценко. ЖПС, 78, 809 (2011)
S. Levchenko, D. Dumcenco, Y.P. Wang, Y.S. Huang, C.H. Ho, E. Arushanov, V. Tezlevan, K.K. Tiong. Optical Mater., 34, 1362 (2012)
R. Passler. Phys. Status Solidi B, 200, 155 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель