"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости
Баранов А.И.1, Гудовских А.С.1, Зеленцов К.С.1, Никитина Е.В.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

С помощью метода спектроскопии полной проводимости проведены исследования уровней дефектов в слоях четверного раствора GaPNAs. В легированных слоях n-GaPNAs, выращенных на подложках GaP, обнаружены центры с энергией активации 0.22 эВ и площадью сечения захвата ~2.4·10-15 см2, которые соответствуют ранее известным дефектам в n-GaP SiGa+VP; после отжига их концентрация уменьшается в несколько раз. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках Si и GaP, был обнаружен уровень с глубиной залегания 0.23-0.24 эВ и площадью сечения захвата ~9.0·10-20 см2, концентрация этих центров существенно уменьшается в результате отжига, и при температурах отжига >600oC отклик данных дефектов полностью отсутствует. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках GaP, также был обнаружен уровень с энергией активации 0.18 эВ и площадью сечения захвата ~1.1·10-16 см2, концентрация этих центров не изменяется после отжига.
  1. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76, 3251 (2000)
  2. I.A. Buyanowa, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 52, 81 (2002)
  3. Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (3), 396 (2014)
  4. J.F. Geisz, D.J. Friedman, S.R. Kurtz. 29th IEEE PVSC, (2002) p. 864
  5. J.F. Geisz, J.M. Olson, D.J. Friedman, K.M. Jones, R.C. Reedy, M.J. Romero. 31th IEEE PVSC (2005) p. 695
  6. А.И. Баранов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. Письма ЖТФ, 39 (24), 88 (2013)
  7. I.P. Vorona, T. Mchedlidze, D. Dagnelund, I.A. Buyanova, W.M. Chen, K. Kohler. Phys. Rev. B, 73, 125 204 (2006)
  8. N.Q. Thinh, I.P. Vorona, I.A. Buyanova, W.M. Chen, Sukit Limpijumnong, S.B. Zhang, Y.G. Hong, H.P. Xin, C.W. Tu, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara, H. Yonezu. Phys. Rev. B, 71, 125 209 (2005)
  9. D. Dagnelund, I.A. Buyanova, X.J. Wang, W.M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, A. Wakahara, H. Yonezu. J. Appl. Phys., 103, 063 519 (2008)
  10. D. Dagnelund, Jan Stehr, A.Yu. Egorov, W.M. Chen, I.A. Buyanova. Appl. Phys. Lett., 102, 021 910 (2013)
  11. Г.И. Кольцов, С.Ю. Юрчук, В.Д. Алешин, Ю.И. Кунакин. ФТП, 24 (5), 782 (1990)
  12. A.V. Skazochkin, Y.K. Krutogolov, Y.I. Kunakin. Semicond. Sci. Technol., 10, 634 (1995)
  13. K. Zdansky, J. Zavadil, D. Nohavica, S. Kugler. J. Appl. Phys., 83, 7678 (1998)
  14. О.И. Румянцев, П.Н. Брунков, Е.В. Пирогов, А.Ю. Егоров. ФТП, 44 (7), 923 (2010)
  15. A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose, K. Kuroki. Phys. Status Solidi C, 0 (7), 2741 (2003)
  16. D.L. Loose. J. Appl. Phys., 46 (5), 2204 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.