Вышедшие номера
Развитие дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Для ряда p+-n-структур, изготовленных из монокристаллического кремния по различным технологиям, измерены положения максимумов производных спектров электролюминесценции при комнатной температуре. Положения этих максимумов с хорошей точностью соответствовали краю фундаментального поглощения кремния с участием ТО-фононов и образованием свободных экситонов. Представленные результаты, в дополнение к ранее опубликованным данным, обосновывают высокую эффективность дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников.