Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Передача энергии от Tb3+ к Eu2+ в кристаллах Ga2S3 : (Eu2+,Tb3+)
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
Исследована фотолюминесценция кристаллов Ga2S3, активированных как отдельными ионами Eu2+ и Tb3+, так и ионами обоих типов, в области температур 77-300 K. Установлено, что наблюдаемая широкополосная фотолюминесценция кристаллов (Ga2S3)0.95 : (Eu2O3)0.05 в области 77-300 K с максимумом при 545 нм связана с внутрицентровыми переходами 4f65d-4f7(8S7/2) ионов Eu2+, а фотолюминесценция с максимумами при 492, 544, 584, 625 и 680 нм кристаллов (Ga2S3)0.99(Tb2O3)0.01 обусловлена внутрицентровыми переходами 5d->2Fj (j=6-2) ионов Tb3+. Показано, что исчезновение полос фотолюминесценции ионов Tb3+ в кристаллах (Ga2S3)0.94(Eu2O3)0.05(Tb2O3)0.01 связано с передачей энергии возбуждения от иона Tb3+ к иону Eu2+, т. е. ион Tb3+ является сенсибилизатором фотолюминесценции иона Eu2+.
- S. Iida, T. Matsumoto, N.T. Mamedov, G. An, Y. Maruyana, A.I. Bairamov, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, R.B. Dzhabbarov. Jpn. J. Appl. Phys., 36, pt 2 (7A), L857 (1997)
- Б.Г. Тагиев, В.А. Джалилов, Т.А. Гюльмалиев, Г.М. Нифтиев, О.В. Тагиев, Ф.Б. Аскеров, Б.М. Иззатов, Я.Г. Талыбов. Неорг. матер., 28 (12), 2269 (1992)
- Б.Г. Тагиев, М.Г. Шахтахтинский, В.А. Джалилов, Т.А. Гюльмалиев, Б.М. Иззатов, Г.К. Асланов, О.В. Тагиев, Я.Г. Талыбов. Неорг. матер., 29 (10), 1392 (1993)
- Б.А. Гейдаров. Химия и химическая технология, 51 (7), 14 (2008)
- Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
- П.Г. Рустамов, И.Б. Бахтияров. ЖНХ, 22 (6), 1703 (1978)
- И.Б. Бахтияров, П.Г. Рустамов, А.Н. Мамедов. ЖНХ, 16 (4), 2053 (1980)
- А.Н. Георгобиани, Б.Г. Тагиев, О.В. Тагиев, Х.Б. Ганбарова. Неорг. матер., 44 (6), 1 (2008)
- А.М. Пашаев, Б.Г. Тагиев, О.В. Тагиев, Х.Б. Ганбарова. ЖПС, 78 (2), 289 (2001)
- I.B. Bakhtiyarov, S.M. Nakhmetov, P.G. Rustamov, I.M. Niftiyev, O.B. Tagiev. Phys. Status Solidi A, 92, K31 (1985)
- Б.Г. Тагиев, О.В. Тагиев, Х.Б. Ганбарова. Azerbaijan J. Phys., XIX (2), 92 (2013)
- M. Sekita, Y. Miyarawa, S. Morita, H. Seiwo, Y. Sato. Appl. Phys. Lett., 65, 2380 (1994)
- Y. Tan, C. Shi. J. Phys. Chem. Sol., 60, 1805 (1999)
- M.D. Shinn, W.A. Sibley. Phys. Rev. B, 29 (7), 3834 (1984)
- J.O. Rubio, A.F. Minoz, C. Zaldo, H.S. Murrieta. Sol. St. Commun., 65 (4), 251 (1988)
- А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш. шк., 1982)
- I. Ronot-Limousin, A. Garcia, C. Fouassier, C. Barthou, P. Benalloul. J. Electrochem. Soc., 144 (2), 687 (1997)
- G. Blasse. Phys. Status Solidi B, 55, K131 (1973)
- A. Rosendo, M. Flores, G. Cordoba, R. Rodriguez, R. Arroyo. Mater. Lett., 57, 2885 (2003)
- В.М. Агранович, М.М. Галаник. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах (М., 1978)
- Н.В. Гапоненко, И.С. Молчан, А.А. Лючит, С.В. Гапоненко, В.Е. Борисенко. Докл. БГУИР, N 2, 132 (2004)
- В.И.Белый, И.А. Бадмаева. Электронный журнал "Исследовано в России", 654 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
