Вышедшие номера
Передача энергии от Tb3+ к Eu2+ в кристаллах Ga2S3 : (Eu2+,Tb3+)
Тагиев О.Б.1,2, Ганбарова Х.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Исследована фотолюминесценция кристаллов Ga2S3, активированных как отдельными ионами Eu2+ и Tb3+, так и ионами обоих типов, в области температур 77-300 K. Установлено, что наблюдаемая широкополосная фотолюминесценция кристаллов (Ga2S3)0.95 : (Eu2O3)0.05 в области 77-300 K с максимумом при 545 нм связана с внутрицентровыми переходами 4f65d-4f7(8S7/2) ионов Eu2+, а фотолюминесценция с максимумами при 492, 544, 584, 625 и 680 нм кристаллов (Ga2S3)0.99(Tb2O3)0.01 обусловлена внутрицентровыми переходами 5d->2Fj (j=6-2) ионов Tb3+. Показано, что исчезновение полос фотолюминесценции ионов Tb3+ в кристаллах (Ga2S3)0.94(Eu2O3)0.05(Tb2O3)0.01 связано с передачей энергии возбуждения от иона Tb3+ к иону Eu2+, т. е. ион Tb3+ является сенсибилизатором фотолюминесценции иона Eu2+.