"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p-Si:B
Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е.1, Гавриленко В.И.
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

В работе представлена теоретическая модель, развитая для интерпретации результатов измерений релаксации примесной фотопроводимости в p-Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Модель учитывает захват дырок на основное и нижнее возбужденное состояния бора с испусканием оптического фонона. Показано, что при учете этих процессов зависимость времени релаксации фотопроводимости от величины электрического поля может быть немонотонной.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115 (1), 89 (1999)
  2. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Semicond. Sci. Technol., 20, 211 (2005)
  3. В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. ФТП, 46 (11), 1414 (2012)
  4. В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В.Козлов. ФТП, 47 (11), 1472 (2013)
  5. Э.Э. Годик, Ю.А. Курицын, В.П. Синис. ФТП, 12, 351 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.