Вышедшие номера
Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
Арапов Ю.Г.1, Гудина С.В.1, Клепикова А.С.1, Неверов В.Н.1, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.1,2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей B=0-16 Tл и температур T=0.05-4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.