"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов AIIIPxAs1-x: механизм формирования состава в подрешетке элементов V группы
Емельянов Е.А.1, Путято М.А.1, Семягин Б.Р.1, Феклин Д.Ф.1, Преображенский В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Экспериментально исследовано влияние температуры подложки, плотности потоков молекул As2, P2 и скорости роста на состав слоев твердых растворов (AIII)PxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведен анализ экспериментальных данных, полученных в широком диапазоне условий роста. Результаты анализа представлены в виде кинетической модели, описывающей процесс формирования состава в подрешетке элементов V группы твердого раствора (AIII)PxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии. Модель может быть использована для выбора условий роста слоев твердых растворов (AIII)PxAs1-x (001) с заданным составом.
  1. Shun-ichi Gonda, Yuichi Matsushima. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (9), 4198 (1976)
  2. C.T. Foxon, B.A. Joyce, M.T. Norris. J. Gryst. Growth, 49, 132 (1980)
  3. Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, Y. Kitano, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1155 (1999)
  4. B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74 (1), 255 (1993)
  5. H.Q. Hou, B.W. Liang, T.P. Chin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 59 (3), 292 (1991)
  6. T.P. Chin, B.W. Liang, H.Q. Hou, M.C. Ho, C.E. Chang, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 58 (3), 254 (1991)
  7. H.Q. Hou, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 60, 1872 (1992)
  8. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
  9. В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, N 9, 156 (1989)
  10. Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  11. М.А. Путято, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Д.Ф. Фёклин, А.П. Василенко. Тез. докл.. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 254
  12. M.A. Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R. Semyagin, K.D. Chtcherbatchev. Semicond. Sci. Technol., 18, 417 (2003)
  13. M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, O.P. Pchelyakov, D.F. Feklin. J. Cryst. Growth, 247 (1--2), 23 (2003)
  14. S.M. Newstead, R.A. Kubiak, E.H. Parker. J. Cryst. Growth, 81, 49 1987)
  15. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 166 (1999)
  16. Y. Matsushima, S. Gonda. Jpn. J. Appl. Phys., 15 (11), 2093 (1976)
  17. C.G. Morgan, P. Kratzer, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett., 82 (24), 4886(1999)
  18. J.Y. Tsao, T.M. Brennan, J.F. Klem, B.E. Hammons. J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (3), 2138 (1989)
  19. J.H. Neave, B.A. Joyce, P.J. Dobson, N. Norton. Appl. Phys. A, 31, 1 (1983)
  20. P.J. Dobson, N.G. Norton, J.H. Neave, B.A. Joyce. Vacuum, 33 (10--12), 593 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.