"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов AIIIPxAs1-x: механизм формирования состава в подрешетке элементов V группы
Емельянов Е.А.1, Путято М.А.1, Семягин Б.Р.1, Феклин Д.Ф.1, Преображенский В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Экспериментально исследовано влияние температуры подложки, плотности потоков молекул As2, P2 и скорости роста на состав слоев твердых растворов (AIII)PxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведен анализ экспериментальных данных, полученных в широком диапазоне условий роста. Результаты анализа представлены в виде кинетической модели, описывающей процесс формирования состава в подрешетке элементов V группы твердого раствора (AIII)PxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии. Модель может быть использована для выбора условий роста слоев твердых растворов (AIII)PxAs1-x (001) с заданным составом.
  • Shun-ichi Gonda, Yuichi Matsushima. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (9), 4198 (1976)
  • C.T. Foxon, B.A. Joyce, M.T. Norris. J. Gryst. Growth, 49, 132 (1980)
  • Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, Y. Kitano, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1155 (1999)
  • B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74 (1), 255 (1993)
  • H.Q. Hou, B.W. Liang, T.P. Chin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 59 (3), 292 (1991)
  • T.P. Chin, B.W. Liang, H.Q. Hou, M.C. Ho, C.E. Chang, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 58 (3), 254 (1991)
  • H.Q. Hou, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 60, 1872 (1992)
  • В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
  • В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, N 9, 156 (1989)
  • Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  • М.А. Путято, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Д.Ф. Фёклин, А.П. Василенко. Тез. докл.. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 254
  • M.A. Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R. Semyagin, K.D. Chtcherbatchev. Semicond. Sci. Technol., 18, 417 (2003)
  • M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, Yu.B. Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, O.P. Pchelyakov, D.F. Feklin. J. Cryst. Growth, 247 (1--2), 23 (2003)
  • S.M. Newstead, R.A. Kubiak, E.H. Parker. J. Cryst. Growth, 81, 49 1987)
  • V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 166 (1999)
  • Y. Matsushima, S. Gonda. Jpn. J. Appl. Phys., 15 (11), 2093 (1976)
  • C.G. Morgan, P. Kratzer, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett., 82 (24), 4886(1999)
  • J.Y. Tsao, T.M. Brennan, J.F. Klem, B.E. Hammons. J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (3), 2138 (1989)
  • J.H. Neave, B.A. Joyce, P.J. Dobson, N. Norton. Appl. Phys. A, 31, 1 (1983)
  • P.J. Dobson, N.G. Norton, J.H. Neave, B.A. Joyce. Vacuum, 33 (10--12), 593 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.