Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Technical University Berlin, Berlin, Germany
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Technical University Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Исследовано влияние спектральной расстройки максимума спектра усиления активной области на основе наногетероструктур AlInGaAs относительно резонансной длины волны вертикального микрорезонатора на статические и динамические характеристики быстродействующих вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с двумя селективно-окисленными токовыми апертурами. Для многомодовых приборов с величиной спектральной расстройки более 20 нм и относительно большими размерами токовой апертуры (более 6 мкм) обнаружено явление аномального начала лазерной генерации через моды высшего порядка с последующим переключением на моды низкого порядка при высоких токах. Одновременная генерация через оба типа поперечных мод, наблюдаемая при промежуточных уровнях накачки, ведет к неклассической форме зависимости максимальной частоты эффективной модуляции от тока накачки. Рост рабочей температуры, а также уменьшение размеров токовой апертуры ВИЛ приводит к классической картине многомодовой лазерной генерации. Наблюдаемые явления необходимо учитывать при оптимизации конструкции быстродействующих вертикально-излучающих лазеров.
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, N. Y., 1995)
- A.N. Al-Omari, K.L. Lear. IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 969 (2004)
- K.L. Lear, A. Mar, K.D. Choquette, S.P. Kilcoyne, R.P. Schneider, jr., K.M. Geib. Electron. Lett., 32, 457 (1996)
- P. Westbergh, R. Safaisini, E. Haglund, J.S. Gustavsson, A. Larsson, A. Joel. Proc. SPIE, 8639, id. 86390X 6 p., DOI: 10.1117/12.2001497 (2013)
- P. Westbergh. High speed vertical cavity surface emitting lasers for short reach communication, PhD thesis (Chalmers University of Technology, Goteborg, 2011)
- VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers, ed. by. R. Michalzik (Springer, 2013)
- L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, M.A. Bobrov, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J.-R. Krop, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 28, 065 010 (2013)
- Y. Satuby, M. Orenstein. IEEE J. Quant. Electron., 35, 944 (1999)
- C. Degen, I. Fischer, W. Elsab er, L. Fratta, P. Debernardi, G.P. Bava, M. Brunner, R. Hovel, M. Moser, K. Gulden. Phys. Rev. A, 63, 023 817 (2001)
- S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, J.A. Lott, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, A.G. Gladyshev, A.M. Nadtochiy, E.V. Nikitina, V.G. Tikhomirov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. Proc. SPIE, 8276, Paper 8276-31 (2012)
- G.R. Hadley. Optics Lett., 20 (13), 1483 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
