"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления
Малеев Н.А.1, Блохин С.А.1, Бобров М.А.1, Кузьменков А.Г.2,1, Блохин А.А.3, Moser P.4, Lott J.A.4, Bimberg D.4, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Technical University Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Исследовано влияние спектральной расстройки максимума спектра усиления активной области на основе наногетероструктур AlInGaAs относительно резонансной длины волны вертикального микрорезонатора на статические и динамические характеристики быстродействующих вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с двумя селективно-окисленными токовыми апертурами. Для многомодовых приборов с величиной спектральной расстройки более 20 нм и относительно большими размерами токовой апертуры (более 6 мкм) обнаружено явление аномального начала лазерной генерации через моды высшего порядка с последующим переключением на моды низкого порядка при высоких токах. Одновременная генерация через оба типа поперечных мод, наблюдаемая при промежуточных уровнях накачки, ведет к неклассической форме зависимости максимальной частоты эффективной модуляции от тока накачки. Рост рабочей температуры, а также уменьшение размеров токовой апертуры ВИЛ приводит к классической картине многомодовой лазерной генерации. Наблюдаемые явления необходимо учитывать при оптимизации конструкции быстродействующих вертикально-излучающих лазеров.
  1. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, N. Y., 1995)
  2. A.N. Al-Omari, K.L. Lear. IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 969 (2004)
  3. K.L. Lear, A. Mar, K.D. Choquette, S.P. Kilcoyne, R.P. Schneider, jr., K.M. Geib. Electron. Lett., 32, 457 (1996)
  4. P. Westbergh, R. Safaisini, E. Haglund, J.S. Gustavsson, A. Larsson, A. Joel. Proc. SPIE, 8639, id. 86390X 6 p., DOI: 10.1117/12.2001497 (2013)
  5. P. Westbergh. High speed vertical cavity surface emitting lasers for short reach communication, PhD thesis (Chalmers University of Technology, Goteborg, 2011)
  6. VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers, ed. by. R. Michalzik (Springer, 2013)
  7. L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, M.A. Bobrov, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J.-R. Krop, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 28, 065 010 (2013)
  8. Y. Satuby, M. Orenstein. IEEE J. Quant. Electron., 35, 944 (1999)
  9. C. Degen, I. Fischer, W. Elsab er, L. Fratta, P. Debernardi, G.P. Bava, M. Brunner, R. Hovel, M. Moser, K. Gulden. Phys. Rev. A, 63, 023 817 (2001)
  10. S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, J.A. Lott, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, A.G. Gladyshev, A.M. Nadtochiy, E.V. Nikitina, V.G. Tikhomirov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. Proc. SPIE, 8276, Paper 8276-31 (2012)
  11. G.R. Hadley. Optics Lett., 20 (13), 1483 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.