"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III-N HEMT гетероструктур
Алексеев А.Н.1, Красовицкий Д.М.2, Петров С.И.1, Чалый В.П.2, Мамаев В.В.2,3, Сидоров В.Г.3
1ЗАО "НТО", Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Рассмотрены особенности получения нитридных HEMT гетероструктур методом аммиачной и плазменной МЛЭ. Показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных при использовании аммиака и экстремально высокой температуре (до 1150oC), позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN и понизить плотность дислокаций в них до значений 9·108-1·109 см-2. Использование таких буферных слоев позволяет получать гетероструктуры GaN/AlGaN высокого качества обоими методами. С другой стороны, в отличие от аммиачной МЛЭ, которую трудно использовать при T<500oC (из-за низкой эффективности разложения аммиака), плазменная МЛЭ весьма эффективна при низких температурах, например, для выращивания слоев InAlN, согласованных по параметру решетки с GaN. Продемонстрированы результаты выращивания гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/InAlN методом МЛЭ как с плазменной активацией азота, так и с использованием экстремально высокого потока аммиака.
  1. S. Lamba et al. // Appl. Phys. Lett., 102 (19), 191 604 (2013)
  2. S.I. Petrov, A.N. Alexeev et al. // Phys. Status Solidi C, N 9 (3--4), 562 (2012)
  3. H.M. Ng et al. // Appl. Phys. Lett., 73 (6), 821 (1998)
  4. James S. Speck et al. // Appl. Phys. Lett., 100 (7), 072 107 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.