Вышедшие номера
Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье-Мотта в полупроводниковых нанокластерах
Кукушкин В.А.1,2
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Цель данной работы - расчет радиационного времени жизни экситонов Ванье-Мотта в больших (по сравнению с радиусом экситона) трехмерных потенциальных ямах, образованных нанокластерами прямозонных узкозонных полупродников в широкозонных полупроводниках. Вычисления выполнены для случая гетеросистемы InAs/GaAs. Показано, что при уменьшении размеров нанокластера до величин порядка радиуса экситона радиационное время жизни последнего увеличивается в несколько раз по сравнению с его значением в однородном полупроводнике. Указанное увеличение оказывается более ярко выраженным при низких температурах. Таким образом, установлено, что помещение экситонов Ванье- Мотта в прямозонные полупроводниковые нанокластеры с размерами порядка их радиуса может быть использовано для значительного увеличения их радиационного времени жизни.