Вышедшие номера
Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
Гайслер В.А.1,2,3, Гайслер А.В.1, Ярошевич А.С.1, Деребезов И.А.1, Качанова М.М.1, Живодков Ю.А.1, Гаврилова Т.А.1, Медведев А.С.1, Ненашева Л.А.1, Грачев К.В.1, Сандырев В.К.1, Кожухов А.С.1, Шаяхметов В.М.1, Калагин А.К.1, Бакаров А.К.1,3, Дмитриев Д.В.1, Торопов А.И.1, Щеглов Д.В.1, Латышев А.В.1,3, Асеев А.Л.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Разработана и реализована конструкция полностью полупроводникового брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов, сочетающая в себе эффективную токовую накачку селективно-позиционированных InAs-квантовых точек в пределах микронной апертуры, высокую внешнюю квантовую эффективность и низкую расходимость излучения.