Вышедшие номера
Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке
Фирсов Д.А.1, Воробьев Л.Е.1, Паневин В.Ю.1, Софронов А.Н.1, Балагула Р.М.1, Махов И.С.1, Козлов Д.В.2,3, Васильев А.П.4
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Исследовано излучение терагерцового спектрального диапазона из структур с легированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в условиях межзонного оптического возбуждения электронно-дырочных пар в структурах n-типа и при примесном пробое в продольном электрическом поле в структурах p-типа. Получены спектры излучения. Излучение наблюдается при низких температурах, показано, что оно определяется оптическими переходами между состояниями примеси и переходами между зонными и примесными состояниями. При оптической межзонной накачке опустошение примесных состояний осуществляется благодаря рекомбинации электронно-дырочных пар с участием примеси, в электрическом поле примесные состояния опустошаются благодаря ударной ионизации.