Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Исследовано излучение терагерцового спектрального диапазона из структур с легированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в условиях межзонного оптического возбуждения электронно-дырочных пар в структурах n-типа и при примесном пробое в продольном электрическом поле в структурах p-типа. Получены спектры излучения. Излучение наблюдается при низких температурах, показано, что оно определяется оптическими переходами между состояниями примеси и переходами между зонными и примесными состояниями. При оптической межзонной накачке опустошение примесных состояний осуществляется благодаря рекомбинации электронно-дырочных пар с участием примеси, в электрическом поле примесные состояния опустошаются благодаря ударной ионизации.
- M. Tonouchi. Nature Photonics, 1 (2), 97 (2007)
- Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, K.A. Korolev, V.P. Sinis, M.S. Kagan, E.E. Haller, M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, K.-A. Chao. Appl. Phys. Lett., 75 (6), 757 (1999)
- S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84 (22), 5220 (2000)
- P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Kolodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnoblyudov, M.S. Kagan. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 22 (2004)
- V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, A.Yu. Egorov, A.G. Gladyshev, O.V. Bondarenko, V.M. Ustinov, N.N. Zinov'ev, D.V. Kozlov. Appl. Phys. Lett., 90 (16), 161 128 (2007)
- А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Ю.Л. Иванов, М.С. Кипа. Письма ЖЭТФ, 91 (2), 102 (2010). [Пер. на англ.: A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, Yu.L. Ivanov, M.S. Kipa. JETP Lett. 91 (2), 96 (2010)]
- Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Ю. Паневин, Г.А. Мелентьев, А.Н. Софронов, Л.Е. Воробьев, А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, В.С. Михрин, А.П. Васильев, А.Е. Жуков, Л.В. Гавриленко, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.Я. Алешкин. ФТП, 44 (11), 1443 (2010). [Пер. на англ.: D.A. Firsov, V.A. Shalygin, V.Yu. Panevin, G.A. Melentyev, A.N. Sofronov, L.E. Vorobjev, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, V.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, A.E. Zhukov, L.V. Gavrilenko, V.I. Gavrilenko, A.V. Antonov, V.Ya. Aleshkin. Semiconductors, 44 (11), 1394 (2010)]
- N.O. Lipary, A. Baldereschi, M.L.W. Thewalt. Sol. St. Commun. 33 (3), 277 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
