"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
Марков Л.К.1, Смирнова И.П.1, Павлюченко А.С.1, Кукушкин М.В.2, Закгейм Д.А.1, Павлов С.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО Инновационная фирма ТЕТИС", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Исследованы структурные и оптические свойства многослойных композиций ITO/SiO2/Ag, в которых слой ITO (оксид индия и олова) был получен двумя различными методами: электронно-лучевым испарением и комбинированным способом, включающим электронно-лучевое испарение и последующее магнетронное напыление. Показано, что отражающая способность композиции на основе пленки ITO, полученной методом электронно-лучевого испарения, существенно ниже. Это можно объяснить значительным поглощением света на обеих границах слоя SiO2, возникающим вследствие сложного рельефа поверхности пленок ITO, напыленных электронно-лучевым испарением. Образцы с пленкой, полученной методом комбинированного нанесения, имеют коэффициент отражения на уровне 90% при нормальном падении излучения, что в совокупности с их большей электропроводностью обеспечивает им преимущество для применения в качестве отражающих контактов к области p-GaN AlInGaN-светодиодов флип-чип конструкции.
  1. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, С.И. Павлов. ФТП, 48, 61 (2014)
  2. R. Goldhahn, S. Shokhovets, J. Scheiner, G. Gobsch, T.S. Cheng, C.T. Foxon, U. Kaiser, G.D. Kipshidze, W. Richter. Phys. Status Solidi A, 177, 107 (2000)
  3. B. Santic, F. Scholz. Meas. Sci. Technol., 19, 1 (2008)
  4. Haibo Gong, Xiaopeng Hao, Yongzhong Wu, Bingqiang Cao, Wei Xia, Xiangang Xu. Mater. Sci. Engin B, 176, 1028 (2011)
  5. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
  6. S.A. Smith, C.A. Wolden, M.D. Bremser, A.D. Hanser, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997)
  7. R.J. Shul. In: GaN and Related Materials II, ed. by S.J. Pearton (Gordon and Breach, N. Y., 1998)
  8. X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)
  9. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L797 (1995)
  10. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин. ФТП, 46(3), 384 (2012)
  11. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  12. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39(7), 885 (2005)
  13. H.S. Venugopalan, A. DiCarlo, X. Gao, S. Libon, B.S. Shelton, E. Stefanov, T. Zhang, I. Eliashevich, S.E. Weaver, M. Hsing, B. Kolodin, T. Soules, D. Florescu, S. Guo, M. Pophristic, B. Peres. Proc. SPIE, 4996, 195 (2003)
  14. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43(11), 1564, (2009)
  15. R.W. Cahn. P. Haasen. E.J. Kramer. Materials Science and Technology (Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2000) v. 2, p. 451
  16. Hyunsoo Kim, Jaehee Cho, Yongjo Park, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 92, 092 115 (2008)
  17. M. Donofrio, J. Ibbetson, Z.J. Yao. Patent US 8,368,100 B2, Feb. 5, 2013
  18. Jong Kyu Kim, Thomas Gessmann, E. Fred Schubert, J.-Q. Xi, Hong Luo Jaehee Cho, Cheolsoo Sone, Yongjo Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013 501 (2006)
  19. J.K. Kim, S. Chhajed, M.F. Schubert, E.F. Schubert, A.J. Fischer, M.H. Crawford, J. Cho, H. Kim, C. Sone. Adv. Mater., 20, 801 (2008)
  20. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
  21. F.T. Shum, W.W. So, S.D. Lester. Patent US 7,573,074 B2, Aug. 11, 2009.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.