"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов
Фукс Б.И.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Эффективность кремниевого солнечного элемента можно значительно повысить за счет сильного снижения темнового тока, заменив сплошные сильно легированные слои множеством малых сильно легированных областей, расстояния между которыми намного больше их размера. Эффект обусловлен тем, что основной вклад в темновой ток вносит поверхностная рекомбинация, которая сильно растет с усилением легирования вблизи границы с диэлектриком. Показано, что имеется оптимальное соотношение расстояний между областями и их размеров, при котором темновой ток сильно подавлен, но нет заметного снижения фототока из-за ухудшения условий собирания неосновных носителей и не вносится значительное последовательное сопротивление. При этом существенно растут рабочее напряжение и эффективность солнечного элемента.
  1. www.suniva.com /documents/ARTisun Select 2013 04 08.pdf
  2. http://rredc.nrel.gov/solar/spectra/am1.5/ASTMG173/ ASTMG173.html
  3. C. Reichel, F. Granek, J. Benick, O. Schultz-Wittmann, S.W. Glunz. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 20, 21 (2012)
  4. M. Green. J. Appl. Phys., 67, 2944 (1999)
  5. M.J. Kerr, A. Cuevas. J. Appl. Phys., 91, 2473 (2002)
  6. A. Rohatgi, D. Meier. Photovolt. International, 10, 87 (2010)
  7. M.J. Kerr, J. Schmidt, A. Cuevas, J.H. Bultman. J. Appl. Phys., 89, 3821 (2001)
  8. D.L. Meier, M.R. Page, E. Iwaniczko, Y. Xu, Q. Wang, H.M. Branz. Proc. 17th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes (Vail, CO, 2007) p. 214
  9. J. Schmidt, M. Kerr, P.P. Altermatt. J. Appl. Phys., 88, 1494 (2000)
  10. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  11. Б.И. Фукс. ЖЭТФ, 102, 555 (1992)
  12. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., Wiley, 1982) Chap. 7, 8
  13. Н.М. Сторонский, Б.И. Фукс. ЖЭТФ, 96, 1880 (1989)
  14. В.А. Гергель, В.М. Масловский, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 85, 1377 (1983)
  15. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, стр. 402. [Пер. с англ.: S. Sze. Semiconductor Devices: Physics and Technology (N.Y., Wiley, 1981) v. 1]
  16. Н.М. Сторонский, Б.И. Фукс. ЖЭТФ, 100, 1873 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.