"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO2, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
Михайлов А.И.1,2, Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Решанов С.А.3, Krieger M.4, Schoner A.2,3, Sledziewski T.4
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Acreo Swedish ICT AB, Kista, Sweden
3Ascatron AB, Kista, Sweden
4Friedrich-Alexander-Universitat Erlangen-Nurnberg, Erlangen, Germany
Поступила в редакцию: 3 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Предложен метод снижения плотности поверхностных состояний на границе раздела 4H-SiC/SiO2 путём имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4H-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода. Значительное снижение плотности поверхностных состояний наблюдается при концентрации ионов фосфора на интерфейсе SiO2/SiC, превышающей 1018 см-3. Однако наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к увеличению встроенного заряда в диэлектрике, а также незначительно снижает надежность подзатворного диэлектрика, изготовленного по данной технологии.
  1. П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
  2. R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Dev. Let., 20, 241 (1999)
  3. L.K. Swanson, P. Fiorenza, F. Gianazzo, A. Frazzetto, F. Roccaforte. Appl. Phys. Lett., 101, 193 501 (2012)
  4. H. Li, S. Dimitrijev, H.B. Harrison, D. Sweatman. Appl. Phys. Lett., 70, 2028 (1997)
  5. G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S.T. Pantelides, L.C. Feldman, R.A. Weller. Appl. Phys. Lett., 76, 1713 (2000)
  6. D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, T. Fuyuki. IEEE Electron. Dev. Lett., 31, 710 (2010)
  7. M. Krieger, S. Beljakowa, L. Trapaidze, T. Frank, H.B. Weber, G. Pensl, N. Hatta, M. Abe, H. Nagasawa, A. Schoner. Silicon Carbide (WILEY-VCH, Weinheim, 2010) vol. 1, p 363
  8. A.F. Basile, S. Dhar, P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 109, 114 505 (2011)
  9. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. Mater. Sci. Forum, 645--648, 495 (2010)
  10. P. Friedrichs, E.P. Burte, R. Schorner. J. Appl. Phys., 79, 10 (1996)
  11. G. Pensl, S. Beljakowa, T. Frank, K. Gao, F. Speck, T. Seyller, L. Ley, F. Ciobanu, V. Afanas'ev, A. Stesmans, T. Kimoto, A. Shoner. Phys. Status. Solidi B, 245 (7), 1378 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.