"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности безызлучательной релаксации ионов Er3+ в кремниевых эпитаксиальных структурах
Кудрявцев К.Е.1,2, Крыжков Д.И.1,2, Антонов А.В.1,2, Шенгуров Д.В.1, Шмагин В.Б.1,2, Красильник З.Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Исследованы особенности безызлучательной релаксации ионов Er3+ в слоях Si : Er, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. В диодных структурах Si : Er/Si с излучающими центрами преципитатного типа наблюдался резонансный фотоотклик на длине волны lambda~1.5 мкм, указывающий на безызлучательную релаксацию ионов эрбия по механизму обратной передачи энергии. Впервые наблюдалось насыщение "эрбиевого" фототока в области высоких температур, что позволило оценить концентрацию эрбиевых центров, подверженных безызлучательной релаксации по указанному механизму (N0~5·1016 см-3). По порядку величины оценка N0 соответствует концентрации оптически активных ионов эрбия при рекомбинационном механизме возбуждения слоев Si : Er. Проанализированы особенности безызлучательной релаксации ионов Er3+ в структурах Si : Er/Si с различными типами излучающих центров.
  1. А. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
  2. A.J. Kenyon. Semicond. Sci. Technol., 20, R65 (2005)
  3. N.Q. Vinh, N.N. Ha, T. Gregorkiewicz. Proc. IEEE, 97, 1269 (2009)
  4. P.B. Klein, G.S. Pomrenke. Electron. Lett., 24 (24), 1502 (1988)
  5. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34 (5), 519 (2000)
  6. В.П. Кузцецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44 (3), 413 (2010)
  7. J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 54, 17 603 (1996)
  8. F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Carnera. Phys. Rev. B, 57, 4443 (1998)
  9. В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, О.А. Кузнецов, Е.А. Ускова, C.A.J. Ammerlaan, G. Pensl. ФТП, 36 (2), 178 (2002)
  10. K.E. Kudryavtsev, V.P. Kuznetsov, V.B. Shmagin, D.V. Shengurov, Z.F. Krasilnik. Physica E, 41, 899 (2009)
  11. P.G. Kik, M.A.J. de Dood, K. Kikoin, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 70, 1721 (1997)
  12. N. Hamelin, P.G. Kik, J.F. Suyver, K. Kikoin, A. Polman. J. Appl. Phys., 88, 5381 (2000)
  13. Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, О.А. Солдаткин, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 43 (6), 979 (2001)
  14. T.D. Chen, M. Platero, M. Opher-Lipson, J. Palm, J. Michel, L.C. Kimerling. Physica B, 273--274, 322 (1999)
  15. S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellani, A. Carnera, C. Spinella. Phys. Rev. B, 48, 11 782 (1993)
  16. G.N. van der Hoven, J.H. Shin, A. Polman, S. Lombardo, S.U. Campisano. J. Appl. Phys., 78, 2642 (1995)
  17. А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник, Ю.А. Карпов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.Б. Шмагин, H. Ellmer, L. Palmetshofer, K. Piplits, H. Hutter. ФТП, 33 (2), 156 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.