"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Методы оценки концентрации компенсирующей примеси в германии, легированном ртутью
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова (факультет точных наук и инновационных технологий), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

На основании анализа результатов измерений постоянной Холла и подвижности в широком диапазоне температур в образцах германия, легированного ртутью, предложены методы оценки концентрации компенсирующей примеси из участков кривых, соответствующих температурам T>50 K. Делается вывод, что в указанном интервале температур локальные образования ртути в матрице образца ионизованы и оба метода применимы вне зависимости от химической природы примеси.
  1. В.Ф. Банная, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Л. Луговая. ФТП, 27, 1661 (1993)
  2. В.Ф. Банная, Е.М. Гершензон, Л.А. Гончаров, Л.П. Орлова, С.Л. Орлов. ФТП, 15, 1264 (1981)
  3. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон. ФТП, 23, 338 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.