"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Новиков А.В.1, Юнин П.А.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Обсуждаются режимы количественного анализа концентрации германия в слоях GexSi1-x методом вторично-ионной масс-спектрометрии, позволяющие минимизировать нелинейные матричные эффекты. Для установки TOF.SIMS-5 с времяпролетным масс-анализатором апробированы режимы анализа, использующие различные типы вторичных ионов при распылении ионами цезия: положительные GeCs+, SiCs+ и отрицательные Ge-, Si-. В отличие от существующих работ для установок TOF.SIMS показана линейная зависимость отношения концентраций ионов Ge-/Si- от величины x/(1-x). Предложено два новых варианта линейных калибровок для концентрации германия с использованием кластерных вторичных ионов Ge2-. Определены калибровочные коэффициенты для всех линейных калибровок при разных энергиях распыляющих ионов цезия и зондирующих ионах Bi+ и Bi+3. Впервые установлено, что среди возможных режимов количественного послойного анализа концентрации германия в многослойных гетероструктурах GexSi1-x/Si наилучшее разрешение по глубине обеспечивает режим калибровки, использующий элементарные отрицательные вторичные ионы Ge- и Si-.
  1. R.G. Wilson. Intern. J. Mass Spectrometry and Ion Processes, 143, 43 (1995)
  2. Y. Gao. J. Appl. Phys., 67, 3760 (1988)
  3. B. Gautier, J.C. Dupuy, C. Dubois, M. Bonneau, J. Delmas, J.P. Vallard, G. Bremond, R. Brenier. Thin Sol. Films, 294, 54 (1997)
  4. B. Saha, P. Chakraborty. Nucl. Instr. Meth. B, 258, 218 (2007)
  5. G. Dong, C. Liangzhen, L. Rong, A.T.S. Wee. Surf. Interface Anal., 32, 171 (2001)
  6. F. Sanchez-Almazan, E. Napolitani, A. Carnera, A.V. Drigo, G. Izella, H. von Kanel, M. Berti. Appl. Surf. Sci., 231-232, 704 (2004)
  7. M. Junel, F. Laugier. Appl. Surf. Sci., 231-232, 698 (2004)
  8. M. Gavelle, E. Scheid, F. Cristiano, C. Armand, J.-M. Hartmann, Y. Campidelli, A. Halimaoui, P.-F. Fazzini, O. Marcelot. J. Appl. Phys., 102, 074 904 (2007)
  9. R. Pureti, W. Vandervorst. Surf. Interface Anal., 45, 402 (2013)
  10. G. Prudon, C. Dubois, B. Gautier, J.C. Dupuy, J.P. Graf, Y. Le Gall, D. Muller. Surf. Interface Anal., 45, 376 (2013)
  11. K.J. Kim, J.S. Jang, D.W. Moon, H.J. Kang. Metrologia, 47, 253 (2010)
  12. D. Marseilhan, J.P. Barnes, F. Fillot, J.M. Hartmann, P. Holliger. Appl. Surf. Sci., 255, 1412 (2008)
  13. M. Py, J.P. Barnes, J.M. Hartmann. Surf. Interface Anal., 43, 539 (2011)
  14. S. Ferrari, M. Perego, M. Fanciulli. Appl. Surf. Sci., 203-204, 52 (2003)
  15. M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli. Surf. Sci., 599, 141 (2005)
  16. M. Py, J.P. Barnes, D. Lafond, J.M. Hartmann. Rapid Commun. Mass Spectrom., 25, 629 (2011)
  17. М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 6, 93 (2011)
  18. М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. ФТП, 44, 418 (2010)
  19. S. Hofmann. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
  20. J.Y. Wang, Y. Liu, S. Hofmann, J. Kovac. Surf. Interface Anal., 44, 569 (2012)
  21. P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov. Surf. Interface Anal., 45, 1228 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.