Вышедшие номера
Электролюминесценция эрбия в p-i-n-структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния
Теруков Е.И.1, Гусев О.Б.1, Коньков О.И.1, Ундалов Ю.К.1, Stutzmann M.2, Janotta A.2, Mell H.3, Kleider J.P.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Walther Schottky Institut, Technisch Universitat, Munchen, Deutschland
3Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
4Laboratoire de Genie Electrique de Paris, Ecole Superieure d'Electricite, Universites Paris, Paris, France
Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Представлены результаты и проведен сравнительный анализ электролюминесцентных структур на длину волны 1.54 мкм на базе аморфного гидрогенизированного кремния. Впервые демонстрируется возможность получения электролюминесценции при комнатной температуре в нормальных p-i-n-структурах на этом материале при прямом включении, что представляет интерес для разработки эффективных излучающих структур с токовой накачкой.
  1. W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)
  2. E.I. Terukov, O.I. Kon'kov, V.Kh. Kudoyarova, K.V. Koughia, G. Weiser, H. Kuehne, J.P. Kleder, C. Longeaud, R. Bruggemann. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 614 (2000)
  3. O.B. Gusev, M.S. Bresler, E.I. Terukov, K.D. Tsendin, I.N. Yassievich. Proc. 24th Int. Conf. Phys. Semicond. (World Scientific, Singapore, 1998) on CD-ROM
  4. O.B. Gusev, M.S. Bresler, E.I. Terukov, K.D. Tsendin, I.N. Yassievich. J. Luminesc., 80, 335 (1999)
  5. A.G. Kazanskii, H. Mell, G. Weiser, E.I. Terukov. J. Non-Cryst. Sol. (2002) in press
  6. I.O. Kon'kov, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, L.S. Granitsyna. (Письма ЖТФ, 27 (13), 30 (2001) [Techn. Phys. Lett. 27 (7), 542 (2001)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.