"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние плотности поверхностных состояний на фотолюминесценцию Si--SiO2-структур при комнатной температуре в области зона-зонной рекомбинации кремния
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Pizzini S.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2INFM and Department of Materials Science, Milan, Italy
Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Исследована взаимосвязь между интенсивностью зона-зонной фотолюминесценции в монокристаллическом кремнии и плотностью поверхностных состояний на границе кремний-<диоксид кремния> в Si-SiO2-структурах, изготовленных по технологии, используемой при промышленном изготовлении приборов с зарядовой связью. Для измерения плотности поверхностных состояний использовались отжиг Si-SiO2-структур в водороде и gamma-облучение.
  1. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Cal. Nature, 412, 805 (2001)
  2. Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  3. V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Appl. Surf. Sci., 123/124, 111 (1998)
  4. A.M. Emel'yanov, V.V. Golubev. Semiconductors, 28, 1148 (1994)
  5. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988) с. 85

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.