Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние параметров конструкции и материалов на вольт-амперные характеристики двухостровковых одноэлектронных цепочек

Абрамов И.И.¹, Игнатенко С.А.¹, Новик Е.Г.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

PDF версия

С использованием разработанной численной модели одноэлектронных двухостровковых цепочек туннельных переходов исследовано влияние параметров конструкции и материалов на их вольт-амперные характеристики. Установлено, что данные характеристики наиболее чувствительны к изменению максимальной ширины туннельного перехода и высоты потенциального барьера изолятора. В то же время изменения фоновых зарядов на островках, относительной диэлектрической проницаемости изолятора и рабочей температуры приводят к разнообразным трансформациям вольт-амперных характеристик.

Single charge tunneling: Coulomb blocade phenomena in nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret [NATO ASI Series B: Physics (N.Y., Plenum, 1992) v. 294]
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 33 (11), 1388 (1999)
K. Nakazato, R.J. Blaikie, H. Ahmed. J. Appl. Phys., 75 (10), 5123 (1994)
K.K. Likharev. Proc. IEEE, 87, 606 (1999)
A. Thean, J.P. Leburton. IEEE Electron. Dev. Lett., 22 (3), 148 (2001)
Н.С. Бахвалов, Г.С. Казача, К.К. Лихарев, С.И. Сердюкова. ЖЭТФ, 95 (3), 1010 (1989)
R.H. Chen, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 68 (14), 1954 (1996)
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 34 (8), 1014 (2000)
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 35 (4), 489 (2001)
В.М. Вержбицкий. Численные методы ( линейная алгебра и нелинейные уравнения) (М., Высш. шк., 2000)
E. Bar-Sadeh, Y. Goldstein, M. Wolovelsky, D. Porath, C. Zhang, H. Deng, B. Abeles, O. Millo. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (3), 1084 (1995)
R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 61 (1998)
T.G. Miller, R. Reifenberger. Phys. Rev. B, 50, 3342 (1994)
H. Imamura, J. Chiba, S. Mitani, K. Takanashi, S. Takahashi, S. Maekawa, H. Fujimori. Phys. Rev. B, 61 (1), 46 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель