"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние мелких примесей на температурную зависимость микротвердости и фотомеханического эффекта в полупроводниках
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Приведены результаты исследований влияния мелкой донорной примеси на температурную зависимость микротвердости и фотомеханического эффекта в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации примеси изменяется температурная зависимость темновой микротвердости, уменьшается величина фотомеханического эффекта и температурный интервал его существования. Полученные данные объясняются на основе механизма уменьшения микротвердости с ростом температуры за счет увеличения концентрации фононов и антисвязывающих квазичастиц, при этом за наблюдаемые изменения фотомеханического эффекта ответственным является перераспределение концентрации антисвязывающих квазичастиц, созданных межзонными переходами и переходами с примесных уровней, которые обладают разной величиной расслабляющего действия.
  1. А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, Г.Д. Чирадзе. Сообщ. АН Грузии, 142, 53 (1991)
  2. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998)
  3. A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University, Ser. Physics, 34, 86 (1999)
  4. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе. ФТП, 35, 70 (2001)
  5. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе. ФТП, 35, 385 (2001)
  6. G.C. Kuchynski, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957)
  7. A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bilibashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University, Ser. Physics, 34, 79 (1999)
  8. A.B. Gerasimov. In: Proc. Fourth Int. Mater. Sci. Forum (N.Y., 1990) v. 65--66, p. 47
  9. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 92
  10. A.B. Gerasimov, Z.G. Bokhochadze, M.T. Vepkhvadze, N.D. Gochaleishvili, E.T. Maziashvili, Z.D. Samadashvili, G.D. Chiradze. Bull. Georgian Acad., 163, 458 (2001)
  11. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Высш. шк., 1984) с. 65

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.