"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование комплексов вакансионного типа в GaN и AlN методом аннигиляции позитронов
Арутюнов Н.Ю.1, Михайлин А.В.1, Давыдов В.Ю.2, Емцев В.В.2, Оганесян Г.А.2, Халлер Е.Е.3
1Институт электроники, Ташкент, Узбекистан
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Department of Materials Science and Engineering, University of California at Berkeley, CA, Berkeley, USA
Поступила в редакцию: 28 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Импульсное распределение электрон-позитронных пар в нитридах GaN и AlN впервые исследовано с помощью метода измерений одномерной угловой корреляции аннигиляционного излучения (1D-УКАИ). Установлено, что величина характеристического параметра электронной плотности r's (радиус сферы, занимаемой электроном), рассчитанная с помощью экспериментальных данных, заметно отличается от численного значения rs, оцененного на основе общепринятой модели независимых частиц: r's(AlN)~1.28rs и r's(GaN)~1.66 rs, где rs(AlN)~1.6091 а.е. и rs(GaN)~1.6568 а.е. Химическая природа атомов в окружении аннигилирующего позитрона в AlN и GaN определялась по величине электрон-позитронного ионного радиуса остовов Al3+, Ga3+ и N5+, который оценивался с помощью характеристик высокоимпульсного компонента кривых 1D-УКАИ. Основой анализа результатов служило сравнение величин электронной плотности и электрон-позитронного ионного радиуса остовов с "эталонными" значениями, полученными для металлов Al, Ga и "родственных" нитридам материалов GaP, GaAs, GaSb. Сделано заключение о доминирующем процессе аннигиляции позитронов в областях вакансионных комплексов, включающих в свой состав вакансии галлия и алюминия, VGa и VAl, и дефекты замещения (антисайты) N+Ga и N+Al соответственно в GaN и AlN.
  1. R.A. Ferrell. Rev. Mod. Phys., 28, 3, 308 (1956)
  2. M.J. Puska, S. Makinen, M. Manninen, R.M. Nieminen. Phys. Rev. B, 39, 11, 7666 (1989)
  3. Н.Ю. Арутюнов, А.С. Балтенков, В.Б. Гилерсон, В.Ю. Тращаков. ФТП, 20, 10, 1753 (1986)
  4. N.Yu. Arutyunov. In: Proc. of International Positron Workshop ed. by P. Sperr, G. Kogel (Univ. Bundeswehr, 1989)
  5. Н.Ю. Арутюнов, В.В. Емцев, В.Ю. Тращаков, Э.Э. Рубинова. ФТП, 20, 532 (1986)
  6. V.F. Masterov, V.A. Kharchenko, N.Yu. Arutyunov. Superconductivity: Physics, Chemistry, Technique, 5, 1211 (1992)
  7. N.Yu. Arutyunov. Sol. St. Phenomena, 5758, 4894 (1997)
  8. В.И. Гольданский. Физическая химия позитрона и позитрония (М., Наука, 1968)
  9. A.T. Stewart. Canadian J. Phys., 35, 168 (1957)
  10. N.Yu. Arutyunov. Mater. Sci. Forum, 105110, 583 (1992)
  11. А.Д. Сахаров. ЖЭТФ, 18, 631 (1948)
  12. N.Yu. Arutyunov. In: Positron and Positronium Chemistry, ed. by Y.C. Jean (World Scientific Pub., Singapore, 1990)
  13. Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)
  14. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  15. D.J. Chadi. Appl. Phys. Lett., 71, 2970 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.