Импульсное распределение электрон-позитронных пар в нитридах GaN и AlN впервые исследовано с помощью метода измерений одномерной угловой корреляции аннигиляционного излучения (1D-УКАИ). Установлено, что величина характеристического параметра электронной плотности r'_s (радиус сферы, занимаемой электроном), рассчитанная с помощью экспериментальных данных, заметно отличается от численного значения r_s, оцененного на основе общепринятой модели независимых частиц: r'_s(AlN)~1.28r_s и r'_s(GaN)~1.66 r_s, где r_s(AlN)~1.6091 а.е. и r_s(GaN)~1.6568 а.е. Химическая природа атомов в окружении аннигилирующего позитрона в AlN и GaN определялась по величине электрон-позитронного ионного радиуса остовов Al³⁺, Ga³⁺ и N⁵⁺, который оценивался с помощью характеристик высокоимпульсного компонента кривых 1D-УКАИ. Основой анализа результатов служило сравнение величин электронной плотности и электрон-позитронного ионного радиуса остовов с "эталонными" значениями, полученными для металлов Al, Ga и "родственных" нитридам материалов GaP, GaAs, GaSb. Сделано заключение о доминирующем процессе аннигиляции позитронов в областях вакансионных комплексов, включающих в свой состав вакансии галлия и алюминия, V_Ga и V_Al, и дефекты замещения (антисайты) N⁺_Ga и N⁺_Al соответственно в GaN и AlN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.