В реальном времени методом спектральной эллипсометрии исследовался рост островков Ge на двух типах поверхности Si (100) и (111). Обнаружено, что оба случая соответствуют росту Станского-Крастанова, т. е. вначале образуется смачивающий слой из Ge и лишь затем на поверхности этого слоя растут островки новой фазы. Однако на поверхности (100) зарождение островков сопровождается существенным уменьшением толщины смачивающего слоя, тогда как на (111) островки зарождаются и растут на смачивающем слое постоянной толщины. Так как на поверхности (100) атомы Ge переходят из смачивающего слоя в островки, существенно уменьшая при этом упругую энергию системы (но увеличивая поверхностную энергию), делается вывод о том, что в данном случае именно упругая энергия является основной движущей силой процесса зарождения островков. Развиты термодинамическая и кинетическая теория процесса зарождения островков из смачивающего слоя под действием упругой энергии. Введено новое понятие - перенапряжение - по аналогии с пересыщением и переохлаждением. Описана временная эволюция толщины смачивающего слоя, скорости зародышеобразования и поверхностной концентрации островков новой фазы. Проведено сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными, полученными эллипсометрическим моделированием, и показано их хорошее соответствие друг другу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.