"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зарождение когерентных полупроводниковых островков при росте по механизму Странского--Крастанова, индуцированное упругими напряжениями
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1, Schmitt F.2, Hess P.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Physical Chemistry, University of Heidelberg, INF 253, Heidelberg, Germany
Поступила в редакцию: 18 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

В реальном времени методом спектральной эллипсометрии исследовался рост островков Ge на двух типах поверхности Si (100) и (111). Обнаружено, что оба случая соответствуют росту Станского--Крастанова, т. е. вначале образуется смачивающий слой из Ge и лишь затем на поверхности этого слоя растут островки новой фазы. Однако на поверхности (100) зарождение островков сопровождается существенным уменьшением толщины смачивающего слоя, тогда как на (111) островки зарождаются и растут на смачивающем слое постоянной толщины. Так как на поверхности (100) атомы Ge переходят из смачивающего слоя в островки, существенно уменьшая при этом упругую энергию системы (но увеличивая поверхностную энергию), делается вывод о том, что в данном случае именно упругая энергия является основной движущей силой процесса зарождения островков. Развиты термодинамическая и кинетическая теория процесса зарождения островков из смачивающего слоя под действием упругой энергии. Введено новое понятие --- перенапряжение --- по аналогии с пересыщением и переохлаждением. Описана временная эволюция толщины смачивающего слоя, скорости зародышеобразования и поверхностной концентрации островков новой фазы. Проведено сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными, полученными эллипсометрическим моделированием, и показано их хорошее соответствие друг другу.
  1. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
  2. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  3. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  4. A.V. Osipov, F. Schmitt, S.A. Kukushkin, P. Hess. Phys. Rev. B, 64, 205 421 (2001)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
  6. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171, 689 (2001)
  7. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  8. T. Yasuda, D.E. Aspnes. Appl. Opt., 33, 7435 (1994)
  9. G.E. Jellison. Thin Sol. Films, 234, 416 (1993)
  10. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999)
  11. I. Berbeizer, B. Gallas, A. Ronda, J. Derrien. Surf. Sci., 412/413, 415 (1998)
  12. C. Ratsch, A. Zangwill. Surf. Sci., 293, 123 (1993)
  13. P. Muller, R. Kern. Appl. Surf. Sci., 102, 6 (1996)
  14. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. Chem. Sol., 56, 831 (1996)
  15. Ф.М. Куни, А.А. Мелихов. ТМФ, 83, 274 (1990)
  16. M. Kastner, B. Voigtlander. Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.