Зависимость кинетики отжига A-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах n-кремния
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Исследовались образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией фосфора ~6·1013 см-3, облученные электронами с энергией 2 МэВ и протонами с энергией 25 МэВ. Показано, что кинетика изохронного отжига A-центров и дивакансией (температура отжига и перестройка радиационных дефектов, когда диссоциация одних приводит к образованию более стабильных центров) сложным образом зависит от энергии, дозы и температуры облучения, т. е. от соотношения концентраций различных радиационных дефектов и зарядового состояния вступающих в реакции первичных радиационных дефектов при взаимодействии друг с другом, с примесными атомами и разупорядоченными областями. Увеличение концентрации дивакансий в области 180-210oC объясняется диссоциацией разупорядоченных областей.
- J.W. Corbatt, G.D. Watkins. Phys. Rev., 138, A555 (1965)
- М.Т. Лаппо, В.Д. Ткачев. Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск, Изд-во БГУ, 1972)
- Л.С. Берман, В.В. Воронков, В.А. Козлов, А.Д. Ременюк. ФТП, 26 (8), 1507 (1992)
- T. Nakano, Y. Inuishi. J. Phys. Soc. Jap., 19, 851 (1964)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13 (7), 1369 (1979)
- G. Tsintsadze, T. Pagava, V. Garnik, Z. Basheleishvili. Bull. Georgian Acad. Sci., 160 (3), 450 (1999)
- B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 33, 1816 (1960)
- Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.