"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость кинетики отжига A-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах n-кремния
Пагава Т.А.1
1Технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследовались образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией фосфора ~6·1013 см-3, облученные электронами с энергией 2 МэВ и протонами с энергией 25 МэВ. Показано, что кинетика изохронного отжига A-центров и дивакансией (температура отжига и перестройка радиационных дефектов, когда диссоциация одних приводит к образованию более стабильных центров) сложным образом зависит от энергии, дозы и температуры облучения, т. е. от соотношения концентраций различных радиационных дефектов и зарядового состояния вступающих в реакции первичных радиационных дефектов при взаимодействии друг с другом, с примесными атомами и разупорядоченными областями. Увеличение концентрации дивакансий в области 180-210oC объясняется диссоциацией разупорядоченных областей.
  1. J.W. Corbatt, G.D. Watkins. Phys. Rev., 138, A555 (1965)
  2. М.Т. Лаппо, В.Д. Ткачев. Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск, Изд-во БГУ, 1972)
  3. Л.С. Берман, В.В. Воронков, В.А. Козлов, А.Д. Ременюк. ФТП, 26 (8), 1507 (1992)
  4. T. Nakano, Y. Inuishi. J. Phys. Soc. Jap., 19, 851 (1964)
  5. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  6. Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13 (7), 1369 (1979)
  7. G. Tsintsadze, T. Pagava, V. Garnik, Z. Basheleishvili. Bull. Georgian Acad. Sci., 160 (3), 450 (1999)
  8. B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 33, 1816 (1960)
  9. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.