Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах n-Si
Пагава T.А.1, Башелейшвили З.В.1
1Технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 3 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который с увеличением n смещается в сторону больших значений varphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся в единицу времени, и заряжающих их свободных носителей тока.
- J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev., 138, 555 (1965)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1969)
- В.И. Кожевников, В.В. Михневич. ФТП, 15, 1598 (1981)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
- А.А. Золотухин, А.К. Коваленко, Т.М. Мещерякова, Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 9, 1201 (1975)
- А.А. Золотухин. Автореф. канд. дис. (М., ИМЕТ АН СССР, 1972)
- Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили. ФТП, 33, 542 (1999)
- Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
- G. Tsintsadze, T. Pagava, V. Garnic, Z. Basheleishvili. Bull. Geargian Acad. Sci., 160 (3), 450 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук