"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах n-Si
Пагава T.А.1, Башелейшвили З.В.1
1Технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 3 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который с увеличением n смещается в сторону больших значений varphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся в единицу времени, и заряжающих их свободных носителей тока.
  1. J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev., 138, 555 (1965)
  2. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1969)
  3. В.И. Кожевников, В.В. Михневич. ФТП, 15, 1598 (1981)
  4. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
  5. А.А. Золотухин, А.К. Коваленко, Т.М. Мещерякова, Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 9, 1201 (1975)
  6. А.А. Золотухин. Автореф. канд. дис. (М., ИМЕТ АН СССР, 1972)
  7. Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили. ФТП, 33, 542 (1999)
  8. Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
  9. G. Tsintsadze, T. Pagava, V. Garnic, Z. Basheleishvili. Bull. Geargian Acad. Sci., 160 (3), 450 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.