"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN на металлических подложках
Андрианов А.В.1, Ямада К.2, Тампо Х.2, Асахи Х.2, Некрасов В.Ю.1, Петровская З.Н.1, Сресели О.М.1, Зиновьев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт научных и промышленных исследований, университет г. Осака, 56 Осака, Япония
Поступила в редакцию: 13 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Изучена низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на металлических подложках (Mo и Ta). Наблюдавшиеся спектры фотолюминесценции содержат в ультрафиолетовой области спектра две полосы излучения, одну из которых мы относим к рекомбинационным процессам внутри кубических нанокристаллитов, образующихся в гексагональной поликристаллической матрице нитрида галлия. Рекомбинационное излучение кубических нанокристаллитов усиливается благодаря преимущественному захвату неравновесных электронно-дырочных пар в эти кристаллиты.
  1. S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer Verlag, Berlin, 1997)
  2. N.Q. Zhang, B. Moran, S.P. DenBaars, U.K. Mishra, X.W. Wang, T.P. Ma. Phys. St. Sol. (A), 188, 213 (2001)
  3. S. Strite, M. Marcoc. J. Vac. Sci. Technol., B10, 1237 (1992)
  4. F.A. Ponce. MRS Bull., 22, 51 (1997)
  5. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa, S. Gonda. J. Cryst. Growth, 188, 98 (1998)
  6. M. Hikori, H. Asahi, H. Tampo, K. Asami, S. Gonda. J. Cryst. Growth, 209, 209 (2000)
  7. H. Asahi, K. Iwata, H. Tampo, R. Kuroiwa, M. Hiroki, K. Asami, S. Nakamura, S. Gonda. J. Cryst. Growth, 201/202, 371 (1999)
  8. K. Yamada, H. Asahi, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Ohnishi, K. Asami. Proc. IWN2000, Sept. 24--27 (Nagoya, Japan, 2000) p. 553; IPAP Conf. Ser., 1, 556
  9. R. Dingle, M. Ilegems. Sol. St. Commun., 9, 175 (1971); В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев, ФТП, 33 (12), 1428 (1999)
  10. B. Monemar. Phys. Rev. B, 10, 676 (1974); G. Ramirez-Flores, H. Navarrow-Contreras, Lastras-Martinez, R.C. Powell, J.E. Greene. Phys. Rev. B, 50, 8433 (1994)
  11. A.V. Andrianov, D.E. Lacklison, J.W. Orton, D.J. Dewsnip, S.E. Hooper, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Technol., 11, 366 (1996)
  12. S. Marcinkevicius, R. Leon. Phys. Rev. B, 59, 4630 (1999)
  13. L. Zhang, Thomas F. Boggesss, K. Gundogdu, Michael E. Flatte, D.G. Deppe, C. Cao, O.B. Shchekin. Phys. Rev. B, 79, 3320 (2001)
  14. L. Chernyak, A. Osinsky, H. Temkin, Y.W. Yang, Q. Chen, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 69, 2531 (1996)
  15. G.D. Chen, M. Smith, J.Y. Lin, H.X. Jiang, S.H. Wei, M. Asif Khan, C.J. Sun. Appl. Phys. Lett., 68, 2784 (1996)
  16. J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, K. Ploog. Phys. Rev. B, 53, 188 (1996)
  17. A.V. Andrianov, D.E. Lacklison, J.W. Orton, T.S. Cheng, C.T. Foxon, K.P. O'Donnel, J.F.H. Nicholls. Semicond. Sci. Technol., 12, 59 (1997)
  18. B.C. Chung, M. Gershenzon. J. Appl. Phys., 72, 651 (1992)
  19. G.D. Chen, M. Smith, J.Y. Lin, H.X. Jiang, S.H. Wei, M. Asif Khan, C.J. Sun. J. Appl. Phys., 78, 2675 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.