"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпитаксии в вакууме
Савкина Н.С.1, Ратников В.В.1, Рогачев А.Ю.1, Шуман В.Б.1, Трегубова А.С.1, Волкова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Слой SiC выращен методом сублимационной эпитаксии в вакууме на пористом карбиде кремния. Пористый слой SiC толщиной ~10 мкм изготовлен электрохимическим травлением разориентированной подложки 6H-SiC. Толщина выращенного эпитаксиального слоя составляла ~10 мкм. Кристаллические и оптические свойства исходной подложки, пористого и эпитаксиального слоев исследовались рентгеновскими методами и методами инфракрасного отражения и фотолюминесценции. Показано, что характеристики эпитаксиального слоя SiC, выращенного на подложке с пористым слоем, улучшились по сравнению с характеристиками слоя SiC, выращенного на стандартной подложке.
  • M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev. Mater. Res. Soc. Symp. (2000) v. 587(C), p. 08.6.1
  • M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kuznetsov, M. Mynbaev, V. Dmitriev. Appl. Pphys. Lett., 78 (1), 117 (2001)
  • L.M. Sorokin, J.L. Hutchison, J. Sloan, G.N. Mosina, N.S. Savkina, V.B. Shuman, A.A. Lebedev. Technical Digest of 1 Conf. on SiC and Related Materials --- ICSCRM2001 (Tsukuba, Japan, 2001) p. 408
  • G. Rozgoniy, P. Petroff, M. Panish. J. Cryst. Growth, 27, 106 (1974)
  • A.-J. Schell-Sorokin, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 64 (9), 1039 (1990)
  • Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (A. Wiley-Interscience Publication, J. Wiley \& Sons Inc., 2001)
  • G. Stoney. Proc. Royal Soc. (London), Ser. A82, 172 (1925)
  • Н.С. Савкина, В.В. Ратников, В.Б. Шуман. ФТП, 35 (2), 159 (2001)
  • C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J.W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E.R. Weber, M.D. Bremser, R.F. Davis. Phys. Rev. B, 54 (24), 17 745 (1996)
  • А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29 (12), 2122 (1995)
  • M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  • А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев. ФТП, 30 (1), 17 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.