"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния О б з о р
Санкин В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Приведены результаты исследования политипов карбида кремния в сильных электрических полях. Показано, что наличие естественной сверхрешетки в политипах карбида кремния приводит к минизонной структуре зоны проводимости, что в свою очередь вызывает серию эффектов, а именно отрицательную дифференциальную проводимость в режиме блоховских осцилляций, электрон-фононные резонансы, локализацию нижней минизоны, резонансное туннелирование между первой и второй минизонами, дырочную монополию ударной ионизации в широкой области полей, аномально высокие поля лавинного пробоя с отрицательной температурной зависимостью напряжения пробоя и многие другие оригинальные эффекты. Заметим, что все перечисленное является составной частью единого процесса ванье-штарковской локализации, который возникает по мере возрастания средней величины электрического поля от 100 до 2900 кВ/см (максимальная величина поля в резком p-n-переходе была вдвое больше).
  • F. Bloch. Z. Phys., 52, 555 (1928)
  • Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
  • G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
  • L. Esaky, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  • A. Rabinovitch, J. Zak. Phys. Rev. B, 4, 2358 (1971)
  • D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 7353 (1987)
  • L. Kleinman. Phys. Rev. B, 41, 3857 (1990)
  • N.L. Chupricov. J. Phys.: Condens. Matter., 11, 1069 (1999)
  • E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 160, 2426 (1988)
  • P. Voisin, J. Bleuse, C. Bouche, S. Gaillard, C. Alibert, A. Regreny. Phys. Rev. Lett., 61, 1639 (1988)
  • J. Feldman, K. Leo, D.A.B. Miller, J.E. Cunningham, S. Schmitt-Rink, T. Meier, G. von Plessen, A. Schulze, P. Thomas. Phys. Rev. B, 46, 7252 (1992)
  • K. Leo, P. Haring Boilvar, E. Bruggeman, R. Schwedler, K. Kohler. Sol. St. Commun., 84, 943 (1992)
  • A. Sibille, J.F. Palmier, H. Wang, F. Mollot. Phys. Rev. Lett., 64, 52 (1990)
  • F. Bettram, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, S.-N.G. Chu, A.Y. Cho. Phys. Rev. Lett., 64, 3167 (1990)
  • J. Grenzer, A.A. Ignatov, E. Schomburg, K.F. Renk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, B. Metzer, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop'ev. Ann. Physik, 4, 1 (1995)
  • A. Sibille, J.F. Palmier, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 60, 457 (1992)
  • Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7 (7), 5 (1981)
  • А.О. Константинов, А.П. Кузьмин, М.И. Лебедев, Д.П. Литвин, А.Г. Остроумов, В.И. Санкин, В.И. Семенов. ЖТФ, 54, 1622 (1984)
  • В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
  • А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 1335 (1981)
  • Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, В.И. Санкин, М.Г. Рамм, А.Г. Остроумов, В.И. Соколов. ФТП, 16, 2029 (1982)
  • G.A. Baraff. Phys. Rev., 128, 2507 (1962)
  • Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. ФТП, 19, 814 (1985)
  • G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol., 57, 423 (1973)
  • А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  • H. Ando, H. Kanbe. Sol. St. Electron., 24, 629 (1981)
  • А.С. Тагер. ФТТ, 6, 1093 (1964)
  • В.И. Санкин, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин. ФТП, 18, 2146 (1984)
  • P.P. Webb, R.Y. McIntyre, Y. Conradi. RCA Rev., 35, 234 (1974)
  • В.И. Санкин, А.В. Наумов, М.Г. Рамм, А.А. Вольфсон, Л.С. Смеркло. Письма ЖТФ, 15 (24), 43 (1989)
  • V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 22--26 (St. Petersburg, Russia, 1997)
  • З.С. Грибников. ЖЭТФ, 74, 2112 (1978)
  • Г.Б. Дубровский, В.И. Санкин. ФТТ, 14, 1200 (1972)
  • Г.Б. Дубровский, В.И. Санкин. ФТТ, 17, 2776 (1975)
  • C. van Opdorp, J. Vrakking. J. Appl. Phys., 40, 2320 (1969)
  • W.V. Muench, I.P. Pfaffeneder. J. Appl. Phys., 48, 4831 (1977)
  • P.J. Price. IBM J. Res Dev., 17, 39 (1973)
  • Р.А. Сурис, Б.С. Щамхалова. ФТП, 18, 178 (1984)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) с. 111
  • Б.С. Кернер, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 13 (8), 19 (1987)
  • B.S. Kerner, D.P. Litvin, A.D. Roenkov, V.I. Sankin. Springer Proc. in Phys., 43, 243 (1991)
  • В.А. Ващенко, Ю.А. Водаков, В.В. Гафийчук, Б.Й. Дацко, Б.С. Кернер, Д.П. Литвин, В.В. Осипов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 25, 1209 (1991)
  • Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 10 (3), 3 (1984)
  • А.И. Бараненков, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 1, 63 (1972)
  • Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 74, 1675 (1978)
  • Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 79, 2218 (1980)
  • V.V. Bryksin, Yu.A. Firsov, S.A. Ktitorov. Sol. St. Commun., 39, 385 (1981)
  • D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 2530 (1987)
  • R. Tsu, G. Dohler. Phys. Rev. B, 12, 680 (1975)
  • Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 148 (1972)
  • В.И. Санкин, Д.П. Литвин, А.А. Мальцев, А.В. Наумов, А.Д. Роенков. Письма ЖТФ, 13 (12), 47 (1987)
  • В.И. Санкин, А.В. Наумов. Письма ЖТФ, 16, 91 (1990)
  • V.I. Sankin, A.V. Naumov. Springer Proc. in Phys., 43, 221 (1991)
  • V.I. Sankin, A.V. Naumov. Superlattice and Microstructures, 10, 353 (1991)
  • В.И. Санкин, А.В. Наумов, И.А. Столичнов. Письма ЖТФ, 17, 38 (1991)
  • V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 22--26 (St. Petersburg, Russia, 1994)
  • В.И. Санкин, I.A. Stolichnov. Superlat. Microstruct., 23, 999 (1998)
  • В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 34, 831 (2000)
  • В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 64, 105 (1996)
  • А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
  • В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 59, 703 (1994)
  • V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 26--30 (St. Petersburg, Russia, 1995)
  • W.V. Muench, E. Petterpaul. J. Appl. Phys., 48, 482 (1977)
  • I.A. Khan, J.A. Cooper, Jr. Proc. ICSCIII-N'97. Stockholm (1997) p. 57
  • V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 22--26 (St. Petersburg, Russia, 1998)
  • В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 33, 586 (1999)
  • Б.Л. Гельмонт, М.С. Шур. ФТП, 7, 453 (1973).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.