"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
Андрианов А.В.1, Некрасов В.Ю.1, Шмидт Н.М.1, Заварин Е.Е.1, Усиков А.С.1, Зиновьев Н.Н.1, Ткачук М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Приведены результаты исследования низкотемпературной время-разрешенной фотолюминесценции в структурах In0.2Ga0.8N/GaN, нелегированных и легированных кремнием, содержащих 12 квантовых ям шириной 60 Angstrem, разделенных барьерами шириной 60 Angstrem, выращенных методом MOCVD на сапфировых подложках. Наблюдаемые свойства фотолюминесценции: высокоэнергетический сдвиг максимума с ростом интенсивности накачки, низкоэнергетический сдвиг с возрастанием времени задержки, степенной закон затухания фотолюминесценции типа t-gamma --- объяснены проявлением двумерной донорно-акцепторной рекомбинации. Приведены оценки суммарной энергии связи донорного и акцепторного центров, которая составляет 340 и 250 мэВ соответственно для легированных кремнием и нелегированных квантовых ям. Обсуждается роль мозаичной структуры, типичной для III-нитридов гексагональной модификации, как фактора, способствующего образованию донорно-акцепторных пар.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, S. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett., 68, 3269 (1996)
  2. L. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, H. Amano. Electron. Lett., 32, 1105 (1996)
  3. S.K. Islam, F.C. Jain, G. Zhao, E. Heller. Int. J. Infrared and Millimeter Waves, 19, 1633 (1998)
  4. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, S. Nagahama. J. Appl. Phys., 74, 3911(1993)
  5. R. Singh. D. Doppalapudi, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 69, 2388 (1996)
  6. W.D. Herzog, R. Singh, T.D. Moustakas, B.B. Goldberg, M.S. Unlu. Appl. Phys. Lett., 70, 133 (1997)
  7. J. Dalfors, J.P. Bergman, P.O. Holtz, B.E. Sernelius, B. Monemar, H. Amano, A. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 74, 3299 (1999)
  8. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998)
  9. A. Hangleiter, J.S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, F. Scholz. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 15 (1998)
  10. L.H. Peng, C.W. Chuang, L.H. Lou. Appl. Phys. Lett., 74, 795 (1999)
  11. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, S. Sakai. Appl. Phys. Lett., 73, 3571 (1998)
  12. T. Wang, T. Sugahara, S. Sakai, J. Orton. Appl. Phys. Lett., 74, 1376 (1999)
  13. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Shizou Fujita, Shigeo Fugita, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
  14. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Shizou Fujita, Shigeo Fujita, S. Nakamura. Phys. Rev. B, 55, R1938 (1997)
  15. X. Zhang, D.R. Rich, J.T. Kobayashi, N.P. Kobayashi, D.P. Dapkus. Appl. Phys. Lett., 73, 1430 (1998)
  16. K.P. O'Donnell, R.M. Martin, P.G. Middleton. Phys. Rev. Lett., 82, 237 (1999)
  17. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, В.А. Семенов, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, М.В. Байдакова. Письма ЖТФ, 25 (12), 1 (1999)
  18. F.D. Salla, A.D. Carlo, P. Lugli, F. Bernardi, V. Fiorentini, R. Scholz. J.-M. Jancu. Appl. Phys. Lett., 74, 2002 (1999)
  19. S. Schmidtt--Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller. Adv. Phys., 38, 89 (1989)
  20. P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 589 (1997)
  21. T. Wang, H. Saeki, J. Bai, T. Shirahama, M. Lachab, S. Sakai, P. Eliseev. Appl. Phys. Lett., 76, 1737 (2000)
  22. S.F. Chichibu, T. Sota, K. Wada, S.P. DenBaars, S. Nakamura. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G2.7 (1999)
  23. C. Gourdon, P. Lavallard. Phys. St. Sol. (b), 153, 641 (1989)
  24. P.J. Dean, J.L. Merz. Phys. Rev., 178, 1310 (1968)
  25. E. Zacks, A. Halperin. Phys. Rev. B, 6, 3072 (1972)
  26. V.P. Dobrego, I.S. Shlimak. Phys. St. Sol., 38, 805 (1969); D. Redfield, J.P. Wittke, J.I. Pankov. Phys. Rev. B, 2, 1830 (1970); H.P. Gislason, B.Y. Yang, M. Linnarson. Phys. Rev. B, 47, 9418 (1993)
  27. D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev., 140, A202 (1965)
  28. H. Morkoc, F. Hfmdani, A. Salvador. Semicond. Semimet., 50, 193 (1998)
  29. C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum Semiconductor Structures (Academic Press, 1991)
  30. S.F. Chichibu, A.C. Abre, M.S. Minsky, S. Keller, S.B. Fleischer, J.E. Bowers, E. Hu, U.K. Mishra, L.A. Coldren, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 73, 2006 (1998)
  31. N.N. Zinov'ev, V.Yu. Nekrasov, L.V. Belyakov, O.M. Sresely. Semiconductors, 33, 1428 (2000)
  32. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (N. Y., John Wiley \& Sons, 2001) p. 1
  33. S. Chuhubu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
  34. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, Y. Aoyagi. Appl. Phys. Lett., 75, 2241 (1999)
  35. E.G. Brazel, M.A. Chin, V. Narayanamutri. Appl. Phys. Lett., 74, 2367 (1999)
  36. X. Du, Y.Z. Wang, L.L. Cheng, G.Y. Zhang, H. Zhang. Mater. Sci. Eng. B-Solid, 75, 228 (2000)
  37. F.A. Ponce. MRS Bull., 22, 51 (1997)
  38. M. Razeghi, A. Saxler, P. Kung, D. Walker, X. Zhang, K.S. Kim, H.R. Vydyanath, J. Solomon, M. Ahoujja, W.C. Mitchel. In: Physics of Semiconductor Devices, ed. by V. Kumar, S.K. Agarwal (New Dehli, Narosa Publishing House, 1998) v. 1, p. 277
  39. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 56, R10020 (1997)
  40. T.A. Kennedy, E.R. Glaser, J.A. Freitas, Jr, W.E. Carlos, M.A. Khan, D.K. Wickenden. J. Electron. Mater., 24, 219 (1995)
  41. H.C. Casey, J. Muth, S. Krishnankutty, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 68, 2867 (1996)
  42. N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.S. Kryzhanovsky, R.N. Kyutt, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.V. Sakharov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, P. Girard. Phys. St. Sol. (b), 216, 581 (1999)
  43. N.M. Shmidt, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Govorkov, A.Ya. Polyakov, N.B. Smirnov. Proc. SPIE, 4340, 92 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.