"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физические свойства полуизолирующих монокристаллов CdTe : Cl, выращенных из газовой фазы
Попович В.Д.1, Григорович Г.М.1, Пелещак Р.М.1, Ткачук П.Н.2
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 8 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Описан газофазный метод получения высокоомных монокристаллов CdTe : Cl. Приведены результаты исследования фотолюминесценции этих кристаллов в зависимости от содержания легирующей примеси в исходном материале. Путем измерения электрических и фотоэлектрических характеристик выявлено положение энергетического уровня, который определяет электропроводность полученных монокристаллов.
  1. F.A. Kroger, J. Vink. Phys. St. Sol., 3, 310 (1956)
  2. G. Mandel. Phys. Rev. A, 134, 1073 (1964)
  3. T.I. Milenov, M.M. Gospodinov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A 322, 368 (1992)
  4. P. Hoshl, P. Polivka, M. Vanecek, M. Skrivankova. Rev. Phys. Appl., 12, 229 (1977)
  5. R. Triboulet. Progr. Cryst. Gr. Char. Mater., 85, 128 (1994)
  6. T. Shoji, H. Onabe, Y. Hiratate. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A 322, 324 (1992)
  7. Н.А. Украинец. Автореф. канд. дис. (Львов, НУ "Львовская политехника", 2000)
  8. M. Fiederle, T. Feltgen, M. Rogalla, J. Mejnhardt, J. Ludwig, K. Runge, K.W. Benz. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A 434, 152 (1999)
  9. А.Л. Грохольский. Измерители добротности --- куметры (Новосибирск, Наука, 1966)
  10. Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН, 68, 147 (М., 1973)
  11. Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14, 172 (1980)
  12. Hage-Ali, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A322, 313 (1992)
  13. Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Э.В. Корбут, М.М. Борисюк. Телурид кадмiю: домiшково-дефектнi стани та детекторнi властивостi (Киев, Изд-во "Iван Федоров", 2000)
  14. B.K. Meyer, W. Stadler. J. Cryst. Growth, 161, 119 (1996)
  15. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 869 (1971)
  16. Н.В. Агринская, О.А. Матвеев, А.В. Никитин, В.А. Сладкова. ФТП, 21, 676 (1987)
  17. J. Saraie, H. Shinohara, H. Edanatzu, T. Tanaka. J. Luminesc., 21, 337 (1980)
  18. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
  19. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной электроники (Киев, Наук. думка, 1984)
  20. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Ю.В. Рудь. ФТП, 2, 932 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.