Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si : H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией

Галахов В.Р.¹, Антонова И.В.², Шамин С.Н.¹, Аксенова В.И.¹, Ободников В.И.², Гутаковский А.К.², По пов В.П.²

¹Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 13 ноября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Слои аморфного кремния, полученные имплантацией ионов водорода с энергией 24 кэВ в SiO₂/Si и Si дозами соответственно 2.7· 10¹⁷ и 2.1· 10¹⁷ см^-3, исследованы методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов. Установлено, что при имплантации происходит аморфизация приповерхностного слоя кремния толщиной до 150-200 нм. Имплантация ионов водорода в кремний с пленкой окисла на поверхности приводит к формированию слоя гидрогенизированного кремния, имеющего большую температурную стабильность.

E. Edelberg, S. Bergh, R. Naone, M. Hall, E.S. Aydil. J. Appl. Phys., 81, 2410 (1997)
R.M. Hauser, N. Jensen, R.B. Bergman, U. Rau, J.H. Werner. Sol. St. Phenomena, 67-68, 551 (1999)
R.W. Collins, B.G. Yacobi, K.M. Jones, Y.S. Tsuo. J. Vac. Sci. Technol. A 4, 153 (1986)
I.V. Antonova, V.P. Popov, A.K. Gutakovsky, K.S. Zhuravlev, E.V. Spesivtsev, I.I. Morosov. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.S. Borisenko (Wold Scientific, 1999) p. 55
E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, V.R. Galakhov, G. Wiech, E. Majkova, S. Luby. J. Mater. Res., 10, 907 (1995)
V.R. Galakhov, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, L.V. Elokhina, Yu.M. Yarmoshenko, A.A. Bukharaev. Appl. Surf. Sci., 72, 73 (1993)
E.Z. Kurmaev, V.R. Galakhov, S.N. Shamin. Critical Rev. in Sol. State and Mater. Sci., 23, 65 (1998)
V.R. Galakhov, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, V.V. Fedorenko, L.V. Elokhina, J.C. Pivin, S. Zaima, J. Kojima. Thin Sol. Films, 350, 143 (1999)
E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, S.N. Shamin, A.V. Postnikov, G. Wiech, Y. Kim. Physica Scripta, T41, 288 (1992)
T. Hara, Y. Kakizaki, S. Oshima, T. Kitamura. Electrochem. Soc. Proc., 97-23, 33 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель