"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Природа краевого пика электролюминесценции в режиме пробоя Si : (Er,O)-диодов
Емельянов А.М.1, Николаев Ю.А.1, Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследована электролюминесценция в области длин волн 1.00--1.65 мкм в диодах на основе кремния, легированного эрбием и кислородом, Si : (Er,O), как в режиме пробоя p-n-перехода, так и в режиме прямого тока. Измерялась электролюминесценция при комнатной температуре с лицевой и обратной поверхностей диодов. В спектрах электролюминесценции некоторых диодов в режиме пробоя p-n-перехода наблюдался пик, соответствующий краю полосы поглощения кремния. Появление пика обусловлено инжекцией неосновных носителей заряда из металлического контакта в кремний и последующей межзонной излучательной рекомбинацией. Интенсивность зона-зонной рекомбинации эффективно возрастает после достижения определенной, зависящей от технологических условий, плотности тока. Пороговая плотность тока уменьшается с ростом температуры постимплантационного отжига Si : (Er,O)-диодов в диапазоне 900-1100oC.
  1. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
  2. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
  3. A.M. Emel'yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys. Lett., 72, 1223 (1998)
  4. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000)
  5. А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, М.А. Тришенков, П.Е. Хакуашев. ФТП, 34, 965 (2000)
  6. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 33, 931 (1999)
  7. Л.А. Косяченко, М.П. Мазур. ФТП, 33, 170 (1999)
  8. Л.А. Косяченко, Е.Ф. Кухто, В.М. Склячук. ФТП, 18, 426 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.