"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние поверхности на экситонные характеристики полупроводников
Литовченко В.Г.1, Дмитрук Н.Л.1, Корбутяк Д.В.1, Сариков А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследовано влияние поверхностных обработок на основные характеристики экситонов в приповерхностной области полупроводника (на примере GaAs), а также пространственное распределение основных характеристик экситонов (на примере CdS). На основании анализа экспериментальных данных показано, что нанесение на поверхность полупроводника диэлектрических слоев с меньшей диэлектрической проницаемостью приводит к усилению степени экситон-фононного взаимодействия и увеличению энергии связи экситона. Возникновение на поверхности слоя с повышенной дефектностью, степень которой увеличивается после определенных поверхностных обработок, дает в результате снижение энергии связи экситона в приповерхностной области, а также уменьшение фактора экситон-фононного взаимодействия.
  1. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1987)
  2. Yu.V. Kryuchenko, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko. Excitonic reflection spectra of semiconductor crystals with inhomogeneous subsurface region (Kiev, Inst. of Semicond. ASU, 1990)
  3. А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, А.В. Ильин, Л.Н. Тенищев. Письма ЖЭТФ, 62 (5), 397 (1995)
  4. Н.Л. Дмитрук, В.М. Леонов, В.Г. Литовченко, Г.Х. Талат. ФТТ, 20 (2), 518 (1978)
  5. J.J. Hopfield. J. Phys. Chem. Sol., 10 (1), 110 (1959)
  6. Л.В. Келдыш, А.П. Силин. ЖЭТФ, 69 (3), 1053 (1975)
  7. Ю.Е. Лозовик, В.Н. Нишанов. ФТТ, 18 (11), 117 (1976)
  8. E.P. Pokatilov, S.I. Beril, V.M. Fomin, V.G. Litovchenko, D.V. Korbutyak, E.G. Lashkevich, E.V. Mikhailovskaya. Phys. St. Sol. (b), 145, 535 (1988)
  9. M.G. Lisachenko, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Phys. St. Sol. (a), 182, 297 (2000)
  10. A. Sarua, G. Gartner, G. Irmer, J. Monecke, I.M. Tiginyanu, H.L. Hartnagel. Phys. St. Sol. (a), 182, 207 (2000)
  11. M. Shinada, S. Sugano. J. Phys. Soc. Japan, 21 (10), 1936 (1966)
  12. R. Del Sole, E. Tosatti. Sol. St. Commun., 22 (5), 307 (1977)
  13. С.И. Пекар. УФН, 1, 17 (1953)
  14. А.С. Давыдов, Э.Н. Мясников. Экситоны в молекулярных кристаллах (Киев, Наук. думка, 1973)
  15. Y. Toyozawa. J. Luminesc., 1, 732 (1970)
  16. H.L. Malm, R.R. Hearing. Canad. J. Phys., 49, 2970 (1971)
  17. В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Письма ЖЭТФ, 20 (1), 3 (1974)
  18. V.G. Litovchenko, V.A. Zuev, D.V. Korbutyak, G.A. Sukach. Proc. 2nd Int. Conf. Solid Surf. (Kyoto, Japan) [Japan. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 2--2, 421 (1974)]
  19. В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко, Г.А. Сукач. Изв. АН СССР. Сер. физ., 38 (6), 1291 (1974)
  20. А.В. Дражан, В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко, Е.П. Мацас. ФТП, 11 (7), 1260 (1977)
  21. В.А. Зуев, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. ФТП, 8 (9), 1651 (1974)
  22. А.А. Евтух, В.Г. Литовченко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 5, 3 (1984)
  23. R. Fuchs, K.L. Kliewer. Phys. Rev., 140, A2076 (1965)
  24. R. Englman, R. Ruppin. J. Phys. Chem. Sol., 1, 630 (1968)
  25. В.В. Брыксин, Ю.А. Фирсов. ФТТ, 11, 2167 (1969); ФТТ, 14, 1148 (1968)
  26. C.A. Klein. Appl. Opt., 5, 1922 (1966)
  27. Н.Л. Дмитрук, В.И. Ляшенко, А.К. Терещенко. УФЖ, 17 (8), 1356 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.