"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стимулированное ультразвуком низкотемпературное перераспределение примесей в кремнии
Островский И.В.1, Надточий А.Б.1, Подолян А.А.1
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (Физический факультет) Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и релаксации фотопроводимости исследовалось влияние ультразвуковой обработки на изменение концентрации примесей металлов в приповерхностных слоях кремния. Показано, что ультразвуковая обработка приводит к возрастанию концентрации примесей K и Na при комнатной температуре на поверхности образца.
  1. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  2. R.E. Bell, S. Ostapenko, J. Lagowski. MRS Symp. Proc., 378, 647 (1995)
  3. И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, Р.В. Конакова, Л.Н. Применко, И.В. Прокопенко, В.Л. Громашевский. ФТП, 31, 503 (1997)
  4. И.В. Островский, Л.П. Стебленко, А.Б. Надточий. ФТП, 34, 257 (2000)
  5. A. Hangleiter. Phys. Rev. b, 35, 9149 (1987)
  6. M. Saritas, H.D. Mc Kell. J. Appl. Phys., 63, 4561 (1988)
  7. F. Shimura, T. Okui, T. Kusama. J. Appl. Phys., 67, 7168 (1990)
  8. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  9. В. Гривицкас, Э. Гаубас, А. Канява, Я. Линнрос, А.Р. Салманов, А.Е. Земко, Г.Н. Травлеев, Л.А. Казакевич, В.И. Кузнецов, И.М. Филиппов. Лит. физ. сб., 32, 589 (1992)
  10. И. Аут, Д. Генцов, К. Герман. Фотоэлектрические явления (М., Мир, 1980). [Пер. с нем.: J. Auth, D. Genzow, K.H. Hermann. Photoelektrische Ersheinungen (Akademie-Verlag, Berlin, 1977)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.