"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение состояния атомов фосфора в решетке кремния при взаимодействии с радиационными дефектами
Болотов В.В.1, Камаев Г.Н.2, Смирнов Л.С.2
1Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследовано взаимодействие радиационных дефектов с атомами фосфора в кристаллах кремния в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и точечных дефектов при облучении электронами и отжигах. Показано, что при облучении кремния дозовые зависимости изменения концентрации фосфора в узлах (Ps) выходят на участки насыщения. При этом уровень насыщения определяется температурой облучения. Стадии восстановления концентрации Ps при отжигах коррелируют с температурными интервалами диссоциации вакансионных комплексов. Полученные результаты подтверждают наличие двух процессов: 1) взаимодействие атомов легирующей примеси с собственными межузельными атомами кремния и появление межузельных комплексов, т. е. радиационно-стимулированный распад пересыщенного раствора примеси при генерации точечных дефектов и ионизации; 2) растворение межузельной примеси в вакансиях при достаточно высоких температурах, или аннигиляция освобождающихся при отжиге вакансий с межузельными атомами, входящими в состав сложных дефектных комплексов с участием атомов фосфора.
  1. В.И. Фистуль. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1977)
  2. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
  3. В.П. Шаповалов, В.А. Городкин. ФТП, 25, 614 (1983)
  4. R.O. Schwenker, E.S. Pan, R.F. Lever. J. Appl. Phys., 42, 3195 (1971)
  5. M.L. Joshi, S. Dash. IBM J., 5, 271 (1967)
  6. R.J. Jaccordine. J. Appl. Phys., 39, 3105 (1968)
  7. С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
  8. Р.М. Баязитов, В.Е. Борисенко, Д.А. Коновалов, И.Б. Хайбуллин, С.Г. Юдин. ФТП, 21, 1505 (1987)
  9. В.И. Ободников, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 417 (1998)
  10. J. Xia, T. Saito, R. Kim, T. Aoki, Y. Kamakura, K. Taniguchi. Japan. J. Appl. Phys., 38, 2319 (1999)
  11. Л.С. Смирнов, В.В. Болотов, А.В. Васильев. ФТП, 13, 1443 (1979)
  12. В.В. Болотов, В.А. Коротченко, А.П. Мамонтов, А.В. Ржанов, Л.С. Смирнов, С.С. Шаймеев. ФТП, 14, 2257 (1980)
  13. В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Л.С. Смирнов. ФТП, 22, 210 (1988)
  14. В.Д. Ахметов, В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Л.С. Смирнов. ФТП, 24, 72 (1990)
  15. A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Progr. Phys., 44, 1297 (1981)
  16. И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.