Проведено моделирование проникновения водорода в Si p-типа и формирования водородсодержащих дефектов в процессе жидкостного химического травления. Рассчитанные профили распределения водородсодержащих дефектов сравнивались с измеренными. Показано, что в кристаллах с низкой концентрацией ловушек необходимо учитывать релаксацию распределения водорода после окончания травления. Учет такой релаксации позволяет описать все экспериментальные профили без предположения об аномально высоком коэффициенте диффузии. С другой стороны, предположение о большом коэффициенте диффузии водорода также позволяет описать экспериментальные профили и существенно уменьшает влияние релаксации. Показано, что сравнительный анализ профилей распределения водородсодержащих центров позволяет определять количество содержащихся в них атомов водорода как в случае, когда эти профили в основном формируются в процессе травления, так и в условиях, когда они существенно модифицируются релаксационной диффузией водорода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.