Вышедшие номера
Особенности токопрохождения в монокристаллах PbGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 15 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик монокристаллов PbGa2Se4 с удельным сопротивлением 1010-1012 Ом·см, полученных методом Бриджмена-Стокбаргера. Вычисленное с помощью дифференциального метода анализа вольт-амперной характеристики значение подвижности основных носителей (mu=14 см/B·с) позволяет оценить ряд параметров: концентрацию носителей у катода nk0=2.48·108см-3, ширину приконтактного барьера dk=5.4·10-8 см, прозрачность катода Dk*=10-5-10-4 эВ, положение квазиуровня Ферми EF=0.38 эВ. Показано, что в сильных электрических полях токопрохождение в монокристаллах PbGa2Se4 обеспечивается эффектом Пула-Френкеля. Вычисленная из значений коэффициента Френкеля величина диэлектрической проницаемости оказалась равной 8.4.