"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности токопрохождения в монокристаллах PbGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 15 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик монокристаллов PbGa2Se4 с удельным сопротивлением 1010-1012 Ом·см, полученных методом Бриджмена-Стокбаргера. Вычисленное с помощью дифференциального метода анализа вольт-амперной характеристики значение подвижности основных носителей (mu=14 см/B·с) позволяет оценить ряд параметров: концентрацию носителей у катода nk0=2.48·108см-3, ширину приконтактного барьера dk=5.4·10-8 см, прозрачность катода Dk*=10-5-10-4 эВ, положение квазиуровня Ферми EF=0.38 эВ. Показано, что в сильных электрических полях токопрохождение в монокристаллах PbGa2Se4 обеспечивается эффектом Пула-Френкеля. Вычисленная из значений коэффициента Френкеля величина диэлектрической проницаемости оказалась равной 8.4.
  1. Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева. Неорг. матер., 35, 33 (1999)
  2. Б.Г. Тагиев, Н.Н. Мусаева, Р.Б. Джаббаров. ФТП, 33, 39 (1999)
  3. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  4. З.В. Беришвили, А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, П.С. Смертенко. Полупроводн. техн. и микроэлектрон., N 28, 23 (1978)
  5. А.Н. Зюганов, П.С. Смертенко, Е.П. Шульга. Полупроводн. техн. и микроэлектрон., N 29, 48 (1979)
  6. Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, 1292 (1938)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.