"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптимальное легирование дрейфовой области монополярных диодов и транзисторов
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Получено точное аналитическое решение задачи минимизации сопротивления дрейфовой области мощных монополярных приборов. Показано, что оптимальный профиль легирования N(x) имеет минимум в центральной части дрейфовой области и неограниченно возрастает при приближении к обеим ее границам.
  1. B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 154
  2. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-переходов в полупроводниках (Л., 1980)
  3. А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
  4. А.С. Тагер, В.М. Валь-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, Inc. (N.Y.--Chichester--Bribane--Toronto--Singapore, A Wiley-Interscience Publication, 1981)
  6. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33, 1096 (1999)
  7. K. Shenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-36, 1811 (1989)
  8. C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-26, 243 (1979)
  9. Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров (М., Наука, 1968). [Пер. с англ.: G.A. Korn, T.M. Korn. Mathematical Handbook for Scientists and Engineers (N.Y.--Toronto--London, McGraw-Hill Book Company, Inc., 1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.