"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термообработки на структуру и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения
Афанасьев В.П.1, Гудовских А.С.1, Неведомский В.Н.2, Сазанов А.П.1, Ситникова А.А.2, Трапезникова И.Н.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовано влияние термообработки в вакууме на структуру и свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), полученных методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, характеризовались наличием неоднородно распределенной по толщине нанокристаллической фазы, объемная доля которой не превышала 1%, и обладали оптической шириной запрещенной зоны Eg=1.85 эВ, энергией активации Ea=0.91 эВ и высокой фоточувствительностью (sigmaph/sigmad~107 при освещенности 100 мВт/см2 в видимой области спектра). Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показали, что термообработка в вакууме приводит в размытию первоначальной слоистой структуры пленок a-Si : H и незначительному росту нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы. После термообработки при температуре выше 350oC наблюдаются резкое увеличение темновой проводимости и, как результат, уменьшение фоточувствительности пленок a-Si : H.
  1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под ред. И. Хамакавы (М., Металлургия, 1986)
  2. A. Asano. Appl. Phys. Lett., 56 (6), 533 (1990)
  3. S. Okamoto, Y. Hishikawa, S. Tsuge et al. Jpn. Appl. Phys., 33 (4A), 1773 (1994)
  4. S. Koynov, Jpn. Appl. Phys., 33 (8), 4534 (1994)
  5. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.П. Сазанов, Я.В. Сонг, Ю.М. Таиров. Матер. электрон. техники, N 4, 29 (1999)
  6. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 495 (2000)
  7. В.Н. Неведомский, А.А. Ситникова, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. Тез. докл. II Межд. конф. <<Аморфные и микрокристаллические полупроводники>>, 3--5 июля 2000 г., Санкт-Петербург (СПб., Изд-во СПбГТУ, 2000) с. 40
  8. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТП, 35, 367 (2001)
  9. О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 110 (1990)
  10. C. Longeaud, J.P. Kleider, P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, R. Meaudre, M. Meaudre. J. Non-Cryst. Sol. 227--230, 96 (1998)
  11. В.Г. Голубев, Л.Е. Морозова, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТП, 33, 75 (1999)
  12. О.А. Голикова, Е.В. Богданова, М.М. Казанин и др. ФТП. 35, 600 (2001)
  13. Yu. He, Ch. Yin, G. Cheng, L. Wang, X. Liu. J. Appl. Phys., 75, 797 (1994)
  14. О.А. Голикова, М.М. Казанин, А.Н. Кузнецов, Е.В. Богданова. ФТП, 34, 1125 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.