Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролюминесценция квантово-каскадных структур AlGaAs/GaAs в терагерцовом диапазоне

Зиновьев Н.Н.^1,2, Андрианов А.В.¹, Некрасов В.Ю.¹, Беляков Л.В.¹, Сресели О.М.¹, Хилл Г.³, Чемберлен Дж.М.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²IMP, School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, Leeds LS2 9JT, United Kingdom
³Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, S10 2TN, United Kingdom

Поступила в редакцию: 21 августа 2001 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась электролюминесценция квантово-каскадной структуры, состоящей из 40 периодов туннельно-связанных квантовых ям GaAs/Al_0.15Ga_0.85As. При напряжении смещения свыше 1.5-2.0 В наблюдалась полоса терагерцового излучения в области 1.0-1.8 ТГц. Положение максимума полосы линейно сдвигается в высокочастотную область с ростом напряжения на структуре. Эффект объяснен пространственно непрямыми переходами электронов между состояниями в соседних квантовых ямах.

Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971); ФТП, 6, 148 (1972)
L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994)
F. Capasso, J. Faist, S. Sirtori, A.Y. Cho. Sol. St. Commun., 102, 231 (1997)
P. Hyldgaard, J.W. Wilkins. Phys. Rev. B, 53, 6889 (1996)
K.D. Maranovski, A.C. Gossard, K. Unterrainer, E. Gornik. Appl. Phys. Lett., 69, 3522 (1996)
J. Ulrich, R. Zobl, K. Unterrainer, G. Strasser, E. Gornik, K.D. Maranovski, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 74, 3158 (1999)
M. Rochat, J. Faist, M. Beck, U. Oesterle, M. Ilegems. Appl. Phys. Lett., 73, 3724 (1998)
M. Rochat, J. Faist, M. Beck, U. Oesterle. Physica E, 7, 44 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель