"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников
Коваленко В.Ф.1, Миронченко А.Ю.1, Шутов С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины (Херсонский отдел), Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 4 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Теоретически и экспериментально изучено влияние объемного (tau) и излучательного (taur) времен жизни носителей заряда на степень пространственного разделения областей их генерации и излучательной рекомбинации в варизонных полупроводниках при дрейфовом механизме переноса во встроенном квазиэлектрическом поле кристалла. Установлено, что с увеличением tau и(или) taur степень пространственного разделения возрастает. Обнаружен эффект пространственного разделения областей излучательной рекомбинации, соответствующих механизмам переходов с различными значениями taur. Полученные данные обусловлены координатной зависимостью вероятности рекомбинации в варизонных полупроводниках.
  1. А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов. ФТП, 35 (1), 53 (2001)
  2. В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 14 (7), 1350 (1980)
  3. Н.К. Дряпико, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. ФТП, 17 (5), 863 (1983)
  4. К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович, В.Е. Родионов. ФТП, 11 (1), 35 (1977)
  5. Д.З. Гарбузов, В.Б. Халфин, А. Абдуллаев. В кн.: Физика соединений AIIIBV (Л., ЛПИ, 1979) с. 21
  6. А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, В.А. Петряков. ФТП, 15 (7), 1363 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.