Вышедшие номера
Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников
Коваленко В.Ф.1, Миронченко А.Ю.1, Шутов С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины (Херсонский отдел), Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 4 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Теоретически и экспериментально изучено влияние объемного (tau) и излучательного (taur) времен жизни носителей заряда на степень пространственного разделения областей их генерации и излучательной рекомбинации в варизонных полупроводниках при дрейфовом механизме переноса во встроенном квазиэлектрическом поле кристалла. Установлено, что с увеличением tau и(или) taur степень пространственного разделения возрастает. Обнаружен эффект пространственного разделения областей излучательной рекомбинации, соответствующих механизмам переходов с различными значениями taur. Полученные данные обусловлены координатной зависимостью вероятности рекомбинации в варизонных полупроводниках.